本发明属于气体传感器领域，具体公开了一种Ga3+掺杂In2O3MEMS甲醛传感器的制备方法，包括以下步骤：(S1)将可溶性铟盐、可溶性镓盐、尿素、弱酸强碱盐与去离子水混合搅拌形成均一的混合溶液；(S2)将混合溶液在100‑200℃的温度下进行水热反应2h‑48h；(S3)将水热产物在空气气氛下进行退火热处理，得到Ga3+掺杂In2O3材料。本发明通过对向In2O3材料中引入Ga3+掺杂，并控制Ga3+掺杂量不超过15％，掺杂后晶粒尺寸减小、晶体结构发生变化(由六方相氧化铟变为双相异质结氧化铟)；应用于MEMS甲醛传感器时，基于掺杂的“小尺寸”效应和双晶相异质结的协同作用，能够有效提高氧化铟MEMS甲醛传感性能。