本发明涉及一种晶圆处理设备，包括：腔体，用于通过通入工艺气体对晶圆表面进行工艺处理；基座，设置在腔体内，用于支撑晶圆；衬套，设置在腔体的侧壁的内表面且围绕基座设置，用于将工艺气体均匀地分布在晶圆表面，且工艺处理后的工艺气体被排出腔体；监控装置，与设置在腔体侧壁的抽气口连通，用于通过所述抽气口获取腔体内的工艺气体并对气体成分进行分析。本发明可以在工艺过程中对腔体内的气体进行原位监控，对工艺稳定性影响小；并且稳定了工艺气流使气体均匀的分布在晶圆表面，保证了工艺的稳定性。