发明公开
- 专利标题： 一种功率半导体器件封装结构
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申请号： CN202310706981.0申请日： 2023-06-15
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公开(公告)号： CN116454040A公开(公告)日： 2023-07-18
- 发明人: 杨鑫 , 武新龙 , 叶俊杰 , 衡可 , 欧阳晓平
- 申请人： 湖南大学
- 申请人地址： 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号
- 专利权人： 湖南大学
- 当前专利权人： 湖南大学
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号
- 代理机构： 长沙正奇专利事务所有限责任公司
- 代理商 王娟; 刘冬
- 主分类号： H01L23/373
- IPC分类号： H01L23/373 ; H01L23/367 ; H01L23/15
摘要：
本发明提供一种功率半导体器件封装结构，所述功率半导体器件封装结构具有在高度方向上由上到下依次设置的芯片、第一铜层、陶瓷层、第二铜层；其特征在于：所述陶瓷层朝向第一铜层/第二铜层的一侧开设有凹槽，所述第一铜层/第二铜层具有朝向陶瓷层设置的凸起，所述凸起与凹槽的形状相适应；平行于所述封装结构高度方向且经过所述凹槽最大槽深位置的直线与芯片轴线相重合。
公开/授权文献
- CN116454040B 一种功率半导体器件封装结构 公开/授权日：2023-10-31
IPC分类:
