本发明公开了一种超宽温度有机聚合物忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机聚合物聚[2‑甲氧基‑5‑(3′,7′‑二甲基辛氧基)‑1,4‑亚苯基亚乙烯基](MDMO‑PPV)组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，有机活性层采用溶液旋涂法制备而成，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的忆阻器件表现出优异的温度稳定性，在无封装的情况下，从低温‑196℃到高温300℃的超宽温度范围下仍保持忆阻性能，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能。