-
公开(公告)号：CN118748908A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410891366.6
申请日：2024-07-04
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明属于半导体和神经形态硬件领域，公开了一种兼具自愈合功能和高线性度输出的忆阻器及制备方法，忆阻器包括由上至下依次设置的氧化铟锡电极、电解质层和俘获层，电解质层、俘获层均具有自愈合功能，电解质层和俘获层之间通过形成氢键实现良好的自愈性，同时电解质层薄膜、俘获层薄膜之间由于自愈而导致的界面消失使得离子不需要克服势垒而是在电场作用下就能在两层膜之间发生定向移动以实现高线性变化的电导调制。本发明为可自愈神经形态器件的设计以及实现高精度神经形态提供了可行方案。
-
公开(公告)号：CN113506851B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110775166.0
申请日：2021-07-08
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法，所述卟啉锌忆阻器从下至上依次包括底电极、有机阻变层、无机阻变层、顶电极，所述有机阻变层为小分子卟啉锌，所述底电极为氧化铟锡，所述顶电极为金属铝，其特征在于，所述无机阻变层为厚度6～10nm的非化学计量比氧化铝薄膜，所述非化学计量比氧化铝薄膜中氧原子和铝原子的数量比值即氧铝比为1.2～1.3。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化铝。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化铝薄膜，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其在拥有生物突触响应的同时，具有线性度良好的突触权重更新过程。
-
公开(公告)号：CN114974328A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210617553.6
申请日：2022-06-01
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明是一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法，该调控方法以双向单极性电压调控有机忆阻器为对象，通过电压调控或者脉冲扫描诱导氧离子传输构建离子传导机制，实现双向单极性电压调控。本发明通过对无机阻变层与有机功能层氧离子输运的调控，得到一种双向单极性电压调控的忆阻器，该忆阻器基于氧离子的调制，可以通过简单的电压调控或者脉冲扫描方法精确调控功能层氧离子传输，从而构建离子传导机制，实现双向单极性调控。通过提取出忆阻器的电导态，实现单极性多值存储；并可应用忆阻器模拟神经元突触的功能。
-
公开(公告)号：CN113506851A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110775166.0
申请日：2021-07-08
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法，所述卟啉锌忆阻器从下至上依次包括底电极、有机阻变层、无机阻变层、顶电极，所述有机阻变层为小分子卟啉锌，所述底电极为氧化铟锡，所述顶电极为金属铝，其特征在于，所述无机阻变层为厚度6～10nm的非化学计量比氧化铝薄膜，所述非化学计量比氧化铝薄膜中氧原子和铝原子的数量比值即氧铝比为1.2～1.3。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化铝。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化铝薄膜，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其在拥有生物突触响应的同时，具有线性度良好的突触权重更新过程。
-
公开(公告)号：CN118647257A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410826393.5
申请日：2024-06-25
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种低电压的金属氧化物/金属卤化物复合薄膜忆阻器及其制备方法，属于半导体技术和神经形态硬件领域，所述忆阻器从下至上依次包括底电极、金属氧化物薄膜、金属卤化物薄膜、顶电极；所述金属氧化物薄膜和金属卤化物薄膜复合成无机阻变层；所述金属氧化物薄膜为氧化铝薄膜，作为离子传输惰性介质；所述金属卤化物薄膜为碘化铯薄膜，作为离子传输活性介质；所述底电极的材料为金属银，用于外部电源电信号的输入；所述顶电极的材料为金属银，用于与地相连。本发明中所设计的忆阻器能够在不同极性电压调控下同时模拟生物突触塑性以及神经元活动，为进一步神经形态计算提供了可能。
-
公开(公告)号：CN116456728A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310343274.X
申请日：2023-03-31
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种超宽温度有机聚合物忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机聚合物聚[2‑甲氧基‑5‑(3′,7′‑二甲基辛氧基)‑1,4‑亚苯基亚乙烯基](MDMO‑PPV)组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，有机活性层采用溶液旋涂法制备而成，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的忆阻器件表现出优异的温度稳定性，在无封装的情况下，从低温‑196℃到高温300℃的超宽温度范围下仍保持忆阻性能，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能。
-
公开(公告)号：CN114628579A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210210197.6
申请日：2022-03-03
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开一种基于水溶性聚合物的质子型忆阻器及其制备，该忆阻器为“三明治”结构，顺次由顶电极、无机阻变功能层、有机阻变功能层和底电极组成，顶电极为金属活性电极，底电极为氧化铟锡(ITO)，无机阻变功能层为金属氧化物薄膜，有机阻变功能层为水溶性聚合物与掺杂材料组成的掺杂体系；该质子型忆阻器的制备过程可靠稳定，所得忆阻器具有生物相容性高、绿色环保的特点；在改善器件性能一致性、环境依赖性的同时，在仿生突触塑性模拟方面也有很大提高，其可利用较低电压实现对器件的操控，拥有较低功耗，且具有良好的双向电流调制效应，为进一步丰富突触功能及设计柔性可穿戴设备提供了可能。
-
公开(公告)号：CN115117240A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210794790.X
申请日：2022-07-07
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法，本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、有机功能层、无机阻变层非化学计量比氧化物、顶电极金属。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化物。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化物薄膜，实现了单极性电压调控的同时，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
-
公开(公告)号：CN115084367A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210705834.7
申请日：2022-06-21
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开一种无铅钙钛矿薄膜忆阻器，该忆阻器为“三明治”结构，顺次由顶电极、无机阻变功能层和底电极组成，顶电极为金属电极，无机阻变功能层为Cs‑Cu‑I钙钛矿薄膜。该忆阻器的整体制备过程可靠稳定，所得忆阻器具有绿色环保的特点；在改善器件性能一致性、环境依赖性的同时，在仿生突触塑性模拟方面也有很大提高，其可利用较低电压实现对器件电流的操控，并实现了稳定可重构的连续脉冲的写入/擦除，为低功耗、神经形态计算提供了有利条件，同时该忆阻器拥有较低功耗，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
-
公开(公告)号：CN114613907B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210268314.4
申请日：2022-03-18
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法，通过引入PEDOT:PSS/AlOx的有机‑无机杂化界面或PEDOT:PSS/Pentacene有机‑有机界面，构建一种由富含离子的半导体层和离子收集导电层组成的聚合物忆阻器结构，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其拥有生物突触响应。本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层、无机阻变层非化学计量比AlOx或有机阻变层并五苯Pentacene、顶电极金属Al，形成结构为ITO/PEDOT:PSS/AlOx/Al或结构为ITO/PEDOT:PSS/Pentacene/Al的忆阻器器件。本发明用于实现多级开关特性并改进了开关功耗（1.2μw），可应用于突触塑性功能模拟，为低功耗应用场景和神经形态计算提供了可能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.019 秒)
