Invention Grant
- Patent Title: 一种铟锡氧三元化合物靶材及其制备方法和应用
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Application No.: CN202310409407.9Application Date: 2023-04-17
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Publication No.: CN116496081BPublication Date: 2024-10-15
- Inventor: 梅方胜 , 戚芳芳 , 曹新鲜 , 林建国
- Applicant: 湘潭大学
- Applicant Address: 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
- Assignee: 湘潭大学
- Current Assignee: 湘潭大学
- Current Assignee Address: 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
- Agency: 长沙市融智专利事务所
- Agent 钟丹
- Main IPC: C04B35/457
- IPC: C04B35/457 ; C23C14/34 ; C23C14/08 ; C03C17/245 ; C04B35/622 ; C04B35/626 ; C03C17/23
Abstract:
本发明公开了一种铟锡氧三元化合物靶材及其制备方法和应用,将In2O3和SnO2粉末混合获得混合粉,混合粉预烧结,获得铟锡氧三元化合物粉末,造粒,获得铟锡氧三元化合物粒料,压制成型获得铟锡氧三元化合物坯体,再将铟锡氧三元化合物坯体于氧化性气氛下进行第1步烧结,然后进行氧气置换处理,再进行第2步烧结即得铟锡氧三元化合物靶材,本发明的制备方法具有工艺流程简单、成本低、绿色环保,可制备低铟含量的高致密度的铟锡氧三元化合物靶材,利用铟锡氧三元化合物靶材所制得薄膜具有优良光电性能和良好的耐酸腐蚀性能,可满足现有建筑玻璃对“三防”薄膜的性能要求,同时还可降低铟的消耗,缓解铟资源短缺的压力。
Public/Granted literature
- CN116496081A 一种铟锡氧三元化合物靶材及其制备方法和应用 Public/Granted day:2023-07-28
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