公开(公告)号：CN116496081B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202310409407.9

申请日：2023-04-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 梅方胜 ,  戚芳芳 ,  曹新鲜 ,  林建国

IPC: C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C03C17/245 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C03C17/23

Abstract: 本发明公开了一种铟锡氧三元化合物靶材及其制备方法和应用，将In2O3和SnO2粉末混合获得混合粉，混合粉预烧结，获得铟锡氧三元化合物粉末，造粒，获得铟锡氧三元化合物粒料，压制成型获得铟锡氧三元化合物坯体，再将铟锡氧三元化合物坯体于氧化性气氛下进行第1步烧结，然后进行氧气置换处理，再进行第2步烧结即得铟锡氧三元化合物靶材，本发明的制备方法具有工艺流程简单、成本低、绿色环保，可制备低铟含量的高致密度的铟锡氧三元化合物靶材，利用铟锡氧三元化合物靶材所制得薄膜具有优良光电性能和良好的耐酸腐蚀性能，可满足现有建筑玻璃对“三防”薄膜的性能要求，同时还可降低铟的消耗，缓解铟资源短缺的压力。

公开(公告)号：CN116375463B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202310412327.9

申请日：2023-04-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 梅方胜 ,  戚芳芳 ,  曹新鲜 ,  林建国

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡铈靶材及其制备方法和应用，将In2O3粉末、SnO2粉末、CeO2粉末混合获得混合粉，将混合粉球磨、造粒获得粒料，将粒料近净成形获得生坯、生坯于氧化气氛下进行烧结即得高致密、低电阻率的氧化铟锡铈靶材。本发明的制备方法具有工艺流程简单、成本低、绿色环保，可制备良好导电性能的高致密度的氧化铟锡铈靶材，利用氧化铟锡铈靶材所制得薄膜具有较高的载流子迁移率，可解决TCO薄膜在近红外波段自由载流子吸收问题，满足了HIT电池产业TCO薄膜对高品质原材料的性能要求，极大地降低了太阳能产业原材料对进口的依赖，提升了我国的能源安全水平。

公开(公告)号：CN116496081A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310409407.9

申请日：2023-04-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 梅方胜 ,  戚芳芳 ,  曹新鲜 ,  林建国

IPC: C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C03C17/245 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C03C17/23

Abstract: 本发明公开了一种铟锡氧三元化合物靶材及其制备方法和应用，将In2O3和SnO2粉末混合获得混合粉，混合粉预烧结，获得铟锡氧三元化合物粉末，造粒，获得铟锡氧三元化合物粒料，压制成型获得铟锡氧三元化合物坯体，再将铟锡氧三元化合物坯体于氧化性气氛下进行第1步烧结，然后进行氧气置换处理，再进行第2步烧结即得铟锡氧三元化合物靶材，本发明的制备方法具有工艺流程简单、成本低、绿色环保，可制备低铟含量的高致密度的铟锡氧三元化合物靶材，利用铟锡氧三元化合物靶材所制得薄膜具有优良光电性能和良好的耐酸腐蚀性能，可满足现有建筑玻璃对“三防”薄膜的性能要求，同时还可降低铟的消耗，缓解铟资源短缺的压力。

公开(公告)号：CN116375463A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310412327.9

申请日：2023-04-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 梅方胜 ,  戚芳芳 ,  曹新鲜 ,  林建国

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡铈靶材及其制备方法和应用，将In2O3粉末、SnO2粉末、CeO2粉末混合获得混合粉，将混合粉球磨、造粒获得粒料，将粒料近净成形获得生坯、生坯于氧化气氛下进行烧结即得高致密、低电阻率的氧化铟锡铈靶材。本发明的制备方法具有工艺流程简单、成本低、绿色环保，可制备良好导电性能的高致密度的氧化铟锡铈靶材，利用氧化铟锡铈靶材所制得薄膜具有较高的载流子迁移率，可解决TCO薄膜在近红外波段自由载流子吸收问题，满足了HIT电池产业TCO薄膜对高品质原材料的性能要求，极大地降低了太阳能产业原材料对进口的依赖，提升了我国的能源安全水平。