本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法，所述功率半导体器件包括阳极区、阴极区、第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层，所述第二材料层与所述阴极区贴合，所述第三材料层与所述阳极区贴合；所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层在水平方面上依次分为有源区、过渡区和电场畸变区；所述电场畸变区形成有第一低寿命区，所述第二材料层形成有第二低寿命区，所述第三材料层形成有第三低寿命区。本申请通过设置三个低寿命区优化边缘终端区的电场分布。