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公开(公告)号：CN118050615A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410024127.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法，具体为：所述芯片替代结构包括PCB电路板，所述PCB电路板的其中一面包括阳极面，另一面包括阴极面，所述PCB电路板上焊接有已知容值的贴片电容；所述PCB电路板上还设有连接阳极面与贴片电容正极的通路，所述贴片电容的负极与阴极面连接。本发明使用特制的PCB电路板替代芯片，在保证封装结构、电学回路不变的前提下，令电容值已知且精确，从而提高结果的准确程度，测试无需完整产品，方法简便。
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公开(公告)号：CN116387359A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310645830.9
申请日：2023-06-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/332 , H01L29/747
Abstract: 本申请提供了一种逆阻型门极换流晶闸管及其制作方法，包括有源区，所述有源区包括阴极区、阳极区以及自所述阴极区至所述阳极区依次设置的多个掺杂区；所述多个掺杂区包括依次设置的第一发射极、第一基区、第二基区、第三基区、第二发射极和第三发射极，所述第一发射极与所述阴极区接触，所述第三发射极与所述阳极区接触；所述第三发射极结深为1~30um，所述第二发射极结深为0~30um，所述第二基区结深为80~140um。本申请可减少漏电流，降低器件厚度和压降。
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公开(公告)号：CN117374012A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311139880.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/04 , H01L23/492 , H01L23/367 , H01L29/74
Abstract: 本申请提供一种高阻断电压的压接型半导体器件，可用于电力半导体器件技术领域。所述高阻断电压的压接型半导体器件包括：包括芯片、设置在所述芯片阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片阴极侧的阴极金属管壳；其中，所述阳极金属管壳远离所述芯片的外压接面向内凹陷；和/或所述阴极金属管壳远离所述芯片的外压接面向内凹陷。本申请实施例提供的高阻断电压的压接型半导体器件，通过将压接型半导体器件原有封装结构中金属管壳的一部分设计为凹陷面，有助于提高器件阻断电压，减小器件的体积，且能够大幅降低器件的接触热阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118584284A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411059810.4
申请日：2024-08-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开属于功率半导体技术领域，涉及功率半导体特性测试回路、方法、系统、设备及存储介质，所述回路包括：电流测试部分、电压测试部分和待测器件；所述电流测试部分和电压测试部分分别连接于待测器件的两端；所述电流测试部分包括电容C1、电感L和开关T；所述电压测试部分包括电容C2和电阻R3。本公开在器件开通特性测试上实现器件开通前耐受电压与开通后阳极电流上升率解耦控制，为研究功率半导体器件的开通暂态过程及其参数影响规律提供基础，使模拟和复现器件在不同的实际应用工况中开通过程更为简单便捷。
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公开(公告)号：CN116504824B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310762804.4
申请日：2023-06-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/747 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法，所述功率半导体器件包括阳极区、阴极区、第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层，所述第二材料层与所述阴极区贴合，所述第三材料层与所述阳极区贴合；所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层在水平方面上依次分为有源区、过渡区和电场畸变区；所述电场畸变区形成有第一低寿命区，所述第二材料层形成有第二低寿命区，所述第三材料层形成有第三低寿命区。本申请通过设置三个低寿命区优化边缘终端区的电场分布。
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公开(公告)号：CN116504824A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310762804.4
申请日：2023-06-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/747 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法，所述功率半导体器件包括阳极区、阴极区、第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层，所述第二材料层与所述阴极区贴合，所述第三材料层与所述阳极区贴合；所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层在水平方面上依次分为有源区、过渡区和电场畸变区；所述电场畸变区形成有第一低寿命区，所述第二材料层形成有第二低寿命区，所述第三材料层形成有第三低寿命区。本申请通过设置三个低寿命区优化边缘终端区的电场分布。
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公开(公告)号：CN116504723A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310762805.9
申请日：2023-06-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请提供了一种耐压终端结构、钝化方法及功率半导体器件，该耐压终端结构包括：薄二氧化硅层，设置在功率半导体器件的表面，并覆盖功率半导体器件的预设保护区；掺氧半绝缘多晶硅层，设置在薄二氧化硅层上，掺氧半绝缘多晶硅层的宽度小于或等于薄二氧化硅层的宽度；氮化硅层，完全覆盖掺氧半绝缘多晶硅层和薄二氧化硅层；聚酰亚胺层，完全覆盖氮化硅层。所述钝化方法用于形成所述耐压终端结构。本申请提供的耐压终端结构、钝化方法及功率半导体器件，能够减小漏流，阻挡外来水汽、碱金属离子等杂质入侵，防止化学腐蚀，实现机械缓冲保护，提高半导体器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN116364661A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310645836.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 本申请提供一种压接型半导体器件，可用于电力半导体器件技术领域。所述压接型半导体器件包括：芯片、设置在所述芯片的阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片的阴极侧的阴极金属管壳；所述芯片的阳极侧和所述阳极金属管壳之间还设置有阳极金属垫片，所述阳极金属垫片和所述阳极金属管壳之间通过第一低热阻结合层连接；和/或所述芯片的阴极侧和所述阴极金属管壳之间还设置有阴极金属垫片，所述阴极金属垫片和所述阴极金属管壳之间通过第二低热阻结合层连接。本申请实施例提供的压接型半导体器件，能够将金属垫片与金属管壳之间的压力接触面替换为低热阻结合层，大幅降低了封装结构的接触热阻，从而降低器件整体的结壳热阻。
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