发明公开
- 专利标题： 一种近红外LED器件及其制备方法
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申请号： CN202310466659.5申请日： 2023-04-24
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公开(公告)号： CN116504899A公开(公告)日： 2023-07-28
- 发明人: 陈明 , 庄子文 , 杨春雷 , 冯叶 , 张杰 , 邵龑 , 严振 , 周鸿飞
- 申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城学苑大道1068号
- 专利权人： 中国科学院深圳先进技术研究院
- 当前专利权人： 中国科学院深圳先进技术研究院
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城学苑大道1068号
- 代理机构： 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理商 范兵; 刘芙蓉
- 主分类号： H01L33/26
- IPC分类号： H01L33/26 ; H01L33/12 ; H01L33/42 ; H01L33/00
摘要：
本发明公开一种近红外LED器件及其制备方法，其中，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、空穴注入层、发光层、n型缓冲层、透明电极层和表面电极层，所述发光层包括Cu2CdxZn1‑xSnSe4，其中0≤x
IPC分类:
