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公开(公告)号：CN118387829A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410285972.3
申请日：2024-03-13
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 本申请涉及气体传感技术领域，特别涉及一种基于氧化镍量子点材料的氢气传感器的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底上形成绝缘层；对绝缘层进行图案化处理，得到预悬浮膜结构；在绝缘层上形成籽晶层；在籽晶层上光刻套刻电极图案；在籽晶层表面形成具有惠斯通电桥图案的电极层，洗胶后进行退火处理；去除多余籽晶层及部分衬底，形成具有悬浮膜结构、惠斯通电桥结构电极的MEMS微加热板；在电极层氢敏区域滴凃氢敏材料浆料，形成氢敏层；其中，氢敏材料浆料通过将氧化镍量子点和钯纳米颗粒加入α‑松油醇、异丙醇以及PEG‑300混合溶液中搅拌制得。本申请实现了器件在较低温度下对氢气优越的传感性能并兼具微型化、易于集成、低成本的优势。
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公开(公告)号：CN118368954A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410409428.5
申请日：2024-04-07
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H10K71/16 , H10K30/15 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池的制备方法包括：提供FTO衬底；在所述FTO衬底上采用原子层沉积技术制备氧化锡界面修饰层；在所述氧化锡界面修饰层上制备空穴传输层，所述空穴传输层包括单分子自组装材料；在所述空穴传输层上制备钙钛矿吸光层；在所述钙钛矿吸光层上制备电子传输层；在所述电子传输层上制备电极，得到所述钙钛矿太阳能电池。本发明使用氧化锡作为钙钛矿薄膜太阳能电池的界面修饰层，解决了SAMs覆盖不足导致的电压损失问题。该氧化锡界面修饰层通过原子层沉积方法生长在FTO衬底上，有效修饰并增强了SAMs材料的附着效果，提高了钙钛矿太阳能电池的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN118317668A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410435581.5
申请日：2024-04-11
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 本发明公开一种自组装单分子层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。自组装单分子层的制备方法包括步骤：将以膦酸为锚定基团的自组装分子材料和/或以羧酸为锚定基团的自组装分子材料，与N，N‑二甲基甲酰胺进行混合，得到混合液；将混合液涂覆在衬底上，退火后，得到自组装单分子层。相比于醇类溶剂，N，N‑二甲基甲酰胺更适合溶解自组装分子材料，能够打散自主装分子材料形成的胶束，使得制备得到的自组装单分子层表面的聚集得到缓解，得到质量良好的自组装单分子层的同时提高自组装分子层在大面积衬底上的覆盖度，进而提升钙钛矿前驱体溶液在衬底上的浸润性，使得钙钛矿薄膜的结晶度更好，进一步提高器件性能。
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公开(公告)号：CN118159048A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410300895.4
申请日：2024-03-15
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 本发明公开一种硫氧化锌电子传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域，所述硫氧化锌电子传输层的制备方法包括步骤：提供钙钛矿吸光层；对所述钙钛矿吸光层表面进行氧等离子体处理；通过原子层沉积法，在所述氧等离子体处理后的钙钛矿吸光层上形成硫氧化锌电子传输层。本发明对钙钛矿吸光层进行氧等离子体处理后，在其表面会形成一层金属氧化物层，从而产生更多的羟基活化位点。锌前驱体可以与这些羟基活化位点发生反应，使反应效率大大提升，形成更致密的硫氧化锌电子传输层，从而提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN117646181A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311553174.6
申请日：2023-11-17
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院 , 深圳市纳设智能装备股份有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体封装用二氧化硅薄膜及其制备方法，包括：提供一衬底；将衬底置于中频磁控溅射腔室内，向溅射腔室内通入溅射气体和反应气体；其中，溅射腔室内安装硅靶作为溅射靶，溅射气体为氩气，流量为350～400sccm，反应气体为氧气，流量为35～45sccm，腔室内气压为0.2～2.0Pa，溅射腔室内反应温度为150～160℃，中频的功率为5～7KW。本发明采用中频磁控溅射法制备二氧化硅薄膜，该方法具有操作简便、沉积速率快、对基板材料限制较少的优点，同时采用该制备方法得到的二氧化硅薄膜无需后处理，普适性强，同时得到的二氧化硅薄膜表面均匀性好。
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公开(公告)号：CN112736150B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110017020.X
申请日：2021-01-07
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池，在所述衬底上制备薄膜吸收层，对所述薄膜吸收层进行激光局部加热钝化，对钝化处理后的所述薄膜吸收层生长CdS缓冲层，在所述CdS缓冲层表面形成窗口层，及在所述窗口层表面形成金属栅电极，本发明提供的制备方法，采用先刻蚀，再激光局部加热钝化CIGS表面，最后使用硫化液去除激光加热产生的悬挂键，以此对CIGS吸收层表面进行钝化，钝化表面晶界形成轻掺杂层，提高了电池效率。
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公开(公告)号：CN111312836A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010112946.2
申请日：2020-02-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/105
摘要： 本申请提供一种光电探测器。所述光电探测器包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极层、形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层、形成于所述光吸收层上的隧穿结层、形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层及形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。其中，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物。本申请提供的光电探测器，可提高光电探测器膜结构的阻抗，有效降低光电探测器的暗电流，并可使得隧穿结在反向偏压下具有极好的光电倍增效应，提高光电探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110098268A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910358944.9
申请日：2019-04-30
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种柔性太阳能电池和组件的阻挡层结构及制备方法。该阻挡结构包括：柔性金属衬底；杂质阻挡层，设置于所述柔性金属衬底上；背电极层，设置于所述杂质阻挡层上；其中，所述杂质阻挡层包括叠层设置的导电阻挡层和绝缘阻挡层，所述绝缘阻挡层中设置有导电通道，所述导电通道用于电导通所述柔性金属衬底和所述背电极层。该阻挡结构可以有效减少衬底中的Fe、Cr等杂质元素以及金属阻挡层中的杂质元素的向CIGS吸收层中的扩散，并且获得较好的附着力；同时绝缘阻挡层上形成有序的电流传输通道并且不损失导电阻挡层，从而有利于制备外联式柔性CIGS太阳能组件。另外，该制备方法的工艺也较为简单。
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公开(公告)号：CN102354711B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110331329.2
申请日：2011-10-26
申请人： 香港中文大学 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和金属栅电极层，所述光吸收层的禁带宽度在厚度方向上呈中间平、两侧逐渐升高的梯形分布。这种梯形禁带结构能够在更大的光谱范围内吸收太阳光以保证光吸收层能更充分地吸收太阳能，从而可以提高光吸收率，同时梯形禁带结构产生向光吸收层两侧变化的电势差，能够同时保证短路电流和有效提高开路电压，使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件获得较高的光吸收率和优良的电学性质。此外，还提供两种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的光吸收层的制备方法。
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公开(公告)号：CN102231398A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110179746.X
申请日：2011-06-29
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜电池，包括依次叠合的玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层，所述玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层的表面均为粗糙度相同的绒面。上述铜铟镓硒薄膜电池的玻璃衬底表面为绒面，生长得到的薄膜电池表面不平整，从而起到陷光作用。当太阳光入射时，由于绒面结构的存在，其入射光会与电池表面形成一定角度，从而增加光生载流子在P-N结区产生的几率，最终提高光生电流。
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