发明公开
- 专利标题: 一种屏蔽中子的铝基碳化硼复合材料及制备方法
-
申请号: CN202310489744.3申请日: 2023-04-28
-
公开(公告)号: CN116516200A公开(公告)日: 2023-08-01
- 发明人: 谭占秋 , 林仁邦 , 沈璋文 , 马嘉 , 范根莲 , 李志强 , 张荻
- 申请人: 上海交通大学 , 上海宇航系统工程研究所
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号;
- 专利权人: 上海交通大学,上海宇航系统工程研究所
- 当前专利权人: 上海交通大学,上海宇航系统工程研究所
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号;
- 代理机构: 上海汉声知识产权代理有限公司
- 代理商 胡晶
- 主分类号: C22C1/059
- IPC分类号: C22C1/059 ; B22F1/12 ; C22C21/00 ; C22C32/00 ; C22C47/14 ; C22C49/06 ; C22C49/14 ; G21C7/24 ; C22C101/10
摘要:
本发明公开了一种屏蔽中子的铝基碳化硼复合材料及其制备方法;所述的铝基碳化硼复合材料包括碳化硼颗粒、石墨化纳米碳、铝基体组成;本发明通过碳化硼颗粒屏蔽中子,通过石墨化纳米碳吸收或汇集氦泡,避免中子吸收后在铝基体中产生大量弥散或汇集长大的氦气泡,提高材料的屏蔽中子、抗辐照损伤以及力学等综合性能。所述的制备方法采用粉末冶金技术流程,既适用于碳化硼颗粒高体积含量铝基复合材料实现近净成形制备,也适用于中低体积含量铝基复合材料宽幅中厚板材等大规格构件产品成形加工,可用于地面乏燃料存储运输、航天器核动力飞行器等中子屏蔽应用场景。