本发明提出了一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法及产品，属于超导薄膜技术领域，该方法包括以下步骤：在氩气环境下，利用磁控溅射，以30‑60W的溅射功率溅射10min‑3h，将靶材Mo80Nb20沉积至Si衬底，得到所述纳米级非晶超导薄膜。本发明还公开了上述方法制备得到的纳米级非晶超导薄膜。本发明通过调整溅射过程中的功率以及溅射时间，简化了制备工艺，降低了成本，且制备出来的Mo80Nb20纳米级非晶超导薄膜厚度分布均匀，质量和结构稳定。采用本发明制备的Mo80Nb20纳米级非晶超导薄膜具有较高的临界转变温度，且存在明显的厚度相关性。