- 专利标题: 一种大面积铋氧硒薄膜的制备方法及其在超稳定、宽光谱成像探测器中的应用
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申请号: CN202310510507.0申请日: 2023-05-08
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公开(公告)号: CN116555901A公开(公告)日: 2023-08-08
- 发明人: 王金忠 , 任帅 , 高世勇 , 容萍 , 凌朵朵 , 韩亚洁
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 王新雨
- 主分类号: C30B25/00
- IPC分类号: C30B25/00 ; C30B29/46 ; C30B33/02 ; G01J3/28
摘要:
一种大面积铋氧硒薄膜的制备方法及其在超稳定、宽光谱成像探测器中的应用,所述大面积铋氧硒薄膜的尺寸至少能够达到2×2cm,是由大量的平均尺寸为1‑2μm的二维单晶纳米片组成。所述大面积铋氧硒薄膜具有较好的均匀性,厚度约为100μm。基于所制备的大面积铋氧硒薄膜设计了宽光谱光电探测器,其能够实现从紫外、可见到红外波段的多波段探测,并且具有高的响应度以及快的响应速度。该器件在无任何封装的情况下在空气中储存一年后仍具有出色的循环稳定性和空气稳定性。本发明由大量二维单晶纳米片组成的大面积铋氧硒薄膜,并基于其构建了超稳定、高性能的宽光谱成像探测器,该器件可以在复杂系统中长时间稳定运行。