本发明公开了一种基于行波电极结构的硅基薄膜铌酸锂宽带电光调制器芯片，属于电光调制技术领域，包括：在铌酸锂上刻蚀的波导结构及电极结构；所述波导结构包括：输入波导、光分束器、第一直波导、第一弯曲波导、第二直波导、第二弯曲波导、光合束器及输出波导；所述电极结构包括：GSG型平面电极及设在GSG型平面电极两侧内的容性负载行波电极，且所述容性负载行波电极对称排布在所述第一直波导和所述第二直波导两侧。本发明通过在两个调制直波导之后设置对应的弯曲波导结构以及容性负载行波电极，能够有效改善硅基薄膜铌酸锂电光调制器的阻抗匹配、降低射频反射、提升电光调制器的带宽，并显著降低制备工艺的难度。