本发明涉及光电神经突触技术领域，特别涉及一种光电神经突触器件及其器件、二维材料的制备方法，包括具有绝缘介质层的衬底，以二维过渡金属硫族化物合金材料作为功能层及功能层表面的源极和漏极，源漏极对应的功能层中的金属元素的占比不相同。本发明的利用以原子级厚度的二维过渡金属硫族化物合金材料作为功能层，有利于器件尺寸的缩微与集成；同时功能层的组分从偏钼变化为偏钨，为本征的渐变II类能带排布，有利于光生载流子的分离，使得光电响应更快；且由于晶格常数失配所导致的硫空位，有利于光电神经突触现象的产生，使得表征光电神经突触性能的双脉冲易化更大，同时空位对电荷起到储存记忆作用，器件的抗疲劳和保持性能更有优势。