本发明提供一种真空晶体管，包括基板、阳极、第一介质层、第二介质层、阴极、栅极和真空沟道，所述第一介质层设于阴极和阳极之间，所述第二介质层设于栅极和基板之间，所述真空沟道设于阴极与栅极之间，通过对阳极、阴极和栅极施加规定的电压，从而使得阴极和第一介质层的界面处形成二维电子气系统，并使得电子气中靠近真空沟道边缘处的电子在易于发射出阴极表面，在电场作用下发射至真空沟道中，被阳极收集，形成沟道电流。本发明将晶体管结构内的栅极和阴极、阳极交叠面积大幅减小，有效地减小了栅极输入电容，从而提高器件截止频率。