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公开(公告)号：CN118371627A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410278892.5
申请日：2024-03-12
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明公开了一种晶体管弯折整形加工装置及方法，属于晶体管加工技术领域，包括基台、基台固定连接的第一支架与第二支架；基台上由左至右依次设置有直线上料器、供料槽、托料架和接料箱，移料机构和固定机构位于托料架的前侧并固定安装在基台上，成型机构安装在第二支架上位于托料架的后侧，供料槽和托料架上设置有分料机构；成型机构包括凸轮驱动结构、剪脚组件和弯折组件。通过上述方式，在本发明中，移料机构同时将每个工位的晶体管移送至其下一个工位，固定机构和托料架配合将晶体管固定，实现对晶体管的精度定位；三组凸轮驱动结构由同一个动力驱动，保证剪脚组件、弯折组件和成品分料组件的同步性，进而大大增加了加工效率和加工加工精度。
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公开(公告)号：CN116666176A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310754505.6
申请日：2023-06-26
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明提供一种真空晶体管，包括基板、阳极、第一介质层、第二介质层、阴极、栅极和真空沟道，所述第一介质层设于阴极和阳极之间，所述第二介质层设于栅极和基板之间，所述真空沟道设于阴极与栅极之间，通过对阳极、阴极和栅极施加规定的电压，从而使得阴极和第一介质层的界面处形成二维电子气系统，并使得电子气中靠近真空沟道边缘处的电子在易于发射出阴极表面，在电场作用下发射至真空沟道中，被阳极收集，形成沟道电流。本发明将晶体管结构内的栅极和阴极、阳极交叠面积大幅减小，有效地减小了栅极输入电容，从而提高器件截止频率。
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公开(公告)号：CN116389652A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310378435.9
申请日：2023-04-11
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明提供一种基于向量化技术的彩色图像并行加密方法，包括以下步骤：将彩色图像分离成三个分量，对三个分量进行水平拼接，得到一个像素矩阵；利用彩色图像的哈希值和外部密钥，提取初始状态和预迭代次数；根据初始状态和预迭代次数，生成扩散密钥矩阵；根据初始状态和预迭代次数，得到置乱密钥；根据初始状态和预迭代次数，得到初始向量密钥；利用三组密钥对像素矩阵分别进行四轮同步置乱和扩散；将置乱和扩散后的密文图像分割组合，得到彩色密文图像。本发明通过将三个颜色分量在水平和垂直方向上进行拼接后实现了颜色分量之间和颜色分量内部的充分置乱和扩散，平衡了加密强度和加密效率，显著的优于现存的方案。
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公开(公告)号：CN113884203A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111029625.7
申请日：2021-08-30
申请人： 南通职业大学
IPC分类号： G01K7/01
摘要： 本发明公开了一种半导体真空二极管温度传感器，具有两个半径不同的真空沟道半导体二极管D1、D2，另有两个相同的晶体管T1、T2提供相同电流的电流源；T1、T2的基极相连，T1、T2的发射极相连，T1的集电极与D1的正极相连，T2的集电极与D2的正极相连；D1与D2的负极相连并接地，D1与D2的正极分别依次连接电压跟随单元、电压反向单元、电压均方根单元；两个电压均方根单元之间采用电阻R4连接，其两端电压Uout。本发明的二极管感测的环境温度T与Uout成正比例关系，而且测量或计算精度高。
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公开(公告)号：CN118612356A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410992167.4
申请日：2024-07-23
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明提供一种基于计数器模式的多图像批处理加密方法，包括以下步骤：利用多明文图像的会话密钥和轮密钥，分别提取混沌系统的初始状态；读取计算多明文图像中四幅明文图像并获取最大的行列值；利用扩散混沌系统的初始状态生成Hmax×Wmax的扩散密钥矩阵；利用初始向量混沌系统的初始状态得到长度为Wmax的初始向量密钥；利用置乱混沌系统的初始状态得到长度分别为Wmax和Hmax的用于行列置乱的密钥流；开启四个线程，同步完成四幅图像的加密，得到密文图像；更新轮密钥，重复上述步骤，直至将待加密的多明文图像加密完成后结束。本发明兼顾海量图像加密场景中的加密效率和强度，且不会增加密钥传输的负担，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN115497785B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202211107704.X
申请日：2022-09-13
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明公开了一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法，包括电极一、介质层一、电极二、介质层二、栅阻挡介质、电极三、基板以及沟道，电极一、介质层一、电极二、介质层二、电极三、基板依次从上至下设置，沟道贯穿电极一、介质层一、电极二、介质层二，多个所述沟道使各层薄膜形成栅状结构，所述栅阻挡介质与所述电极二位于同层。本发明增加栅极阻挡层介质结构，有效减小栅极泄露电流；多个沟道形成栅状结构有效增加电子发射面积，提升同等尺寸晶体管的沟道电流。
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公开(公告)号：CN115497785A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211107704.X
申请日：2022-09-13
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明公开了一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法，包括电极一、介质层一、电极二、介质层二、栅阻挡介质、电极三、基板以及沟道，电极一、介质层一、电极二、介质层二、电极三、基板依次从上至下设置，沟道贯穿电极一、介质层一、电极二、介质层二，多个所述沟道使各层薄膜形成栅状结构，所述栅阻挡介质与所述电极二位于同层。本发明增加栅极阻挡层介质结构，有效减小栅极泄露电流；多个沟道形成栅状结构有效增加电子发射面积，提升同等尺寸晶体管的沟道电流。
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公开(公告)号：CN118122636A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410127075.X
申请日：2024-01-30
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明公开了一种场效应晶体管的性能检测装置，涉及检测设备技术领域。本发明包括检测台，所述检测台上安装有输送辊，所述输送辊的外表面安装有输送带，所述输送带的顶部固定连接有若干定位盒，所述定位盒的内壁两侧固定连接有多个弹性杆，所述弹性杆的端部固定连接有固定块；所述输送辊的一端固定连接有从动轮，所述从动轮的外表面啮合连接有主动轮，所述输送辊的端部还固定连接有第一传动轮。本发明通过设置的输送带、主动轮、输送辊、驱动轮等结构的相互配合，能够使得输送带输送相邻两个晶体管的间隔时间与检测组件的往复间隔时间相适配，从而能够实现一边输送一边对输送带上的晶体管进行连续性检测。
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公开(公告)号：CN113884203B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111029625.7
申请日：2021-08-30
申请人： 南通职业大学
IPC分类号： G01K7/01
摘要： 本发明公开了一种半导体真空二极管温度传感器，具有两个半径不同的真空沟道半导体二极管D1、D2，另有两个相同的晶体管T1、T2提供相同电流的电流源；T1、T2的基极相连，T1、T2的发射极相连，T1的集电极与D1的正极相连，T2的集电极与D2的正极相连；D1与D2的负极相连并接地，D1与D2的正极分别依次连接电压跟随单元、电压反向单元、电压均方根单元；两个电压均方根单元之间采用电阻R4连接，其两端电压Uout。本发明的二极管感测的环境温度T与Uout成正比例关系，而且测量或计算精度高。
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公开(公告)号：CN116389652B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310378435.9
申请日：2023-04-11
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明提供一种基于向量化技术的彩色图像并行加密方法，包括以下步骤：将彩色图像分离成三个分量，对三个分量进行水平拼接，得到一个像素矩阵；利用彩色图像的哈希值和外部密钥，提取初始状态和预迭代次数；根据初始状态和预迭代次数，生成扩散密钥矩阵；根据初始状态和预迭代次数，得到置乱密钥；根据初始状态和预迭代次数，得到初始向量密钥；利用三组密钥对像素矩阵分别进行四轮同步置乱和扩散；将置乱和扩散后的密文图像分割组合，得到彩色密文图像。本发明通过将三个颜色分量在水平和垂直方向上进行拼接后实现了颜色分量之间和颜色分量内部的充分置乱和扩散，平衡了加密强度和加密效率，显著的优于现存的方案。
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