本发明公开了一种镁锌共掺的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域。所述器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1P下波导层、Gax2In1‑x2P第一量子阱、(Alx3Ga1‑x3)y2In1‑y2P垒层、Gax4In1‑x4P第二量子阱、(Alx5Ga1‑x5)y3In1‑y3P上波导层、Al0.5In0.5P上限制层‑1、Al0.5In0.5P上限制层‑2、Gax6In1‑x6P腐蚀终止层、Al0.5In0.5P上限制层‑3、Ga0.5In0.5P上过渡层和GaAs帽层。通过波导层低掺杂Zn降低吸收损耗，限制层Mg、Zn共掺减少Mg掺杂记忆效应，实现限制层高掺减少载流子溢出，减少废热产生，提高高温工作可靠性。