本发明公开一种半导体器件的制作方法，涉及半导体技术领域，采用湿法刻蚀和干法刻蚀两种方式去除牺牲层，降低支撑结构的厚度，增大下电极与介电层的接触面积，使得电容器具有的电容量变大，从而提升半导体器件的存储性能。所述半导体器件的制作方法包括：提供一基底。在基底上形成至少一个叠层结构。每个叠层结构包括牺牲层、以及位于牺牲层上的支撑结构，牺牲层和支撑结构内开设有过孔。在过孔的孔壁和孔底形成下电极。采用湿法刻蚀方式去除预定高度的牺牲层。采用干法刻蚀方式去除剩余牺牲层。