发明公开
- 专利标题: 基于中子辐照碳化硅吸收边带蓝移确定峰值温度及时长的方法及系统
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申请号: CN202310197062.5申请日: 2023-03-03
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公开(公告)号: CN116678514A公开(公告)日: 2023-09-01
- 发明人: 刘德峰 , 李欣 , 张守超 , 黄漫国 , 高云端 , 闫瑜
- 申请人: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 , 天津城建大学 , 北京长城航空测控技术研究所有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区东环南路2号; ;
- 专利权人: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所,天津城建大学,北京长城航空测控技术研究所有限公司
- 当前专利权人: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所,天津城建大学,北京长城航空测控技术研究所有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区东环南路2号; ;
- 代理机构: 北京孚睿湾知识产权代理事务所
- 代理商 王冬杰
- 主分类号: G01K13/00
- IPC分类号: G01K13/00 ; G01N21/31
摘要:
本发明提供一种基于中子辐照碳化硅吸收边带蓝移确定峰值温度及持续时长的方法,其包括以下步骤:S1、选择碳化硅晶体并对碳化硅晶体进行处理:对碳化硅晶体进行处理具体包括辐照、分割、退火及抛光处理;S2、确定碳化硅吸收边带;S3、确定退火温度与吸收边带的关系;S4、建立时长评估模型;S5、利用碳化硅晶体测量峰值温度以及峰值温度持续时长。本发明利用吸收边带蓝移能够实现峰值温度及峰值温度持续时长的评估,弥补了现有技术中无法测量峰值温度持续时长的空白,并且该温度传感晶体物化性质稳定,高温下不易发生化学反应,物相稳定,测量结果准确,可适用于多种高温场景温度测试。