一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统

    公开(公告)号:CN114184303A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111629595.3

    申请日:2021-12-28

    IPC分类号: G01K11/324

    摘要: 本发明涉及一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统,包括:对碳化硅晶体进行中子辐照,得到辐照碳化硅晶体;对所述辐照碳化硅晶体进行若干个退火温度的退火处理,得到退火碳化硅晶体;基于拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的P个拉曼图谱;P为大于1的正整数;获取每个所述拉曼图谱在设定频移位置处的特征峰半高宽值;基于每个所述特征峰半高宽值得到半高宽随温度变化的拟合曲线;获取经过中子辐照后的碳化硅晶体在待测位置处的实时拉曼图谱,基于所述实时拉曼图谱,结合所述拟合曲线,得到待测位置的温度值。本发明具有测量精度高和测量速度快的优点,同时提高了温度测量上限,能适应各种超高温测量场景。

    一种基于离子注入掺杂SiC晶片的高温测量方法

    公开(公告)号:CN115148585B

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202210815631.3

    申请日:2022-07-11

    IPC分类号: H01L21/265 H01L21/66 G01K7/00

    摘要: 本发明公开了一种基于离子注入掺杂SiC晶片的高温测量方法,属于测量测试技术领域。该方法采用离子注入掺杂的SiC晶体作为测温元件,在经历测温环境的高温处理后,对SiC晶体做二次离子质谱分析,得到其中杂质分布的浓度‑深度曲线,通过余误差函数拟合曲线的尾部,得到与其对应扩散浓度曲线,将扩散浓度曲线的左端点的浓度值,作为特征扩散浓度N,建立特征扩散浓度N随温度变化的标准参照数据和曲线,该测温元件测温时,可以对照标准参照曲线,利用插值法确定特征扩散浓度N对应的温度值,实现测温。本发明有效地解决高温(1700℃以上)测量难的问题,可以应用在航空、航天发动机的测温领域。

    一种一体式移动物体电量检测传感器

    公开(公告)号:CN114355064A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111593170.1

    申请日:2021-12-23

    IPC分类号: G01R29/24

    摘要: 本发明属于电量属于测试技术领域,公开了一种一体式移动物体电量检测传感器,包括:中心探头、硬质夹层、填充物或初级电路、分体壳套以及引线,可以对经过传感器的带电物体的电量进行探测,获得的响应信号幅值与电量成正相关关系。其中,中心探头采用高电导率材料并与引线连接;中心探头外包裹有高电阻率硬质夹层;硬质夹层外装有分体壳套,引线由分体壳套中引出,引线带有屏蔽外壳并与分体壳套连接,硬质夹层和分体壳套中空间部分通过填充物填充,空间中也可放置初级电路,对信号起转化和放大作用。本发明在实现移动物体带电量探测的同时,提高了传感器与电缆连接的可靠性、耐温性、屏蔽性。

    一种基于热电堆的加速度传感器

    公开(公告)号:CN111060715B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN201911353292.6

    申请日:2019-12-24

    IPC分类号: G01P15/03

    摘要: 本发明涉及一种基于热电堆的加速度传感器,该加速度传感器包括封装体、键合层、基板、左热电堆、右热电堆和发热单元;所述发热单元产生热量,其热量会通过质量块与发热单元之间的空气传递给左右热电堆,当有加速度时,两个热电堆感受到的热量为稳态,当存在加速度时,质量块的移动会导致质量块与发热单元之间的间隙发生变化或质量块与左右热电堆的间隙发生变化,从而影响间隙空间中的空气量,进而导致热量传递的变化,使得左右热电堆的热结果发生变化,通过所述变化计算、推算或映射获得加速度。本发明结构简单,成本低,易于加工,原理简单,体积小,集成性好,灵敏度高,不易受到电磁环境的干扰,可采用微加工工艺进行大批量生产。

    一种高温大量程硅-蓝宝石压力传感器结构

    公开(公告)号:CN106644195B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201610875795.X

    申请日:2016-09-30

    IPC分类号: G01L1/22

    摘要: 本发明提出了一种高温大量程硅‑蓝宝石压力传感器结构,包括钛合金壳体、两个钛合金膜片、连接柱体、蓝宝石膜片、单晶硅应变电阻和金属引线。其中一个钛合金膜片与蓝宝石膜片通过真空烧结的方式结合在一起,形成压力传感器的敏感元件。在蓝宝石膜片上,通过异质外延的方式生长出一层0.1‑0.5μm的单晶硅薄膜。在外延膜上采用半导体平面工艺加工出单晶硅应变电阻,这些电阻组成惠斯顿电桥。另一个钛合金膜片下方连接一个柱体,柱体下表面加工出球形凹面,与蓝宝石膜片变形时完全贴合,无载荷作用时与蓝宝石膜片保持5‑10μm的间距。本发明上下膜片组成分离式的双膜片结构,在测量小量程压力的时候具有高灵敏度的优点,同时也可以用于大量程压力的测量。