本发明涉及一种具有高功率高光束质量的GaAs基大功率锥形激光器芯片及其制备方法，本发明提供的GaAs基大功率锥形激光器芯片将传统的锥形激光器单模区和锥形放大区的脊条形式改为边缘具有微结构的宽条区和锥形放大区的脊条形式，边缘具有微结构的宽条区通过边缘滤波实现模式的筛选，不再采用模式宽度截止的方法，实现了功率可提升的目的，并且光束质量不受边缘具有微结构的宽条区的长度影响，可以通过控制边缘具有微结构的宽条区的长度实现功率大小的调控，进而实现锥形激光器高功率高光束质量要求。