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公开(公告)号：CN116683284A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210168177.7
申请日：2022-02-23
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有高功率高光束质量的GaAs基大功率锥形激光器芯片及其制备方法，本发明提供的GaAs基大功率锥形激光器芯片将传统的锥形激光器单模区和锥形放大区的脊条形式改为边缘具有微结构的宽条区和锥形放大区的脊条形式，边缘具有微结构的宽条区通过边缘滤波实现模式的筛选，不再采用模式宽度截止的方法，实现了功率可提升的目的，并且光束质量不受边缘具有微结构的宽条区的长度影响，可以通过控制边缘具有微结构的宽条区的长度实现功率大小的调控，进而实现锥形激光器高功率高光束质量要求。
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公开(公告)号：CN115693396A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110872864.2
申请日：2021-07-30
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: H01S5/0683 , H01S5/02345 , H01S5/0235
Abstract: 本发明涉及一种功率稳定输出的恒压红光半导体激光器模块及其制备方法与应用。所述模块包括热沉、红光LD芯片、光电二极管、反馈电路芯片和匹配电阻；热沉中央设置有第一金属区，第一金属区下方设置有第四金属区；第一金属区一侧设有第二金属区，另一侧设有U型第三金属区，U型结构内设有第五金属区；红光LD芯片设于第一金属区，红光LD芯片正下方设有光电二极管；反馈电路芯片设于第四金属区；匹配电阻两端分别设于第三金属区和第五金属区。本发明通过光电二极管反馈电流来使反馈电路芯片对激光器的工作电流进行调节，有效地避免了温度对光功率的影响，能够为激光切割、激光照明、激光打标、印刷等工作提供持续稳定的定位指示功能。
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公开(公告)号：CN113140964B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202010059700.3
申请日：2020-01-19
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器及其制备方法，其中自下而上包括衬底、缓冲层、渐变下过渡层、下限制层、折射率反渐变下波导层、量子阱层、折射率反渐变上波导层、第一上限制层、模式扩展层、第二上限制层、腐蚀终止层、第三上限制层、上过渡层和帽层；本发明公开了一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器及其制备方法，对激光器结构进行优化，设计了反渐变波导层、模式扩展层等结构，能够在不损害垂直方向光限制因子的前提下扩展光场，从而实现较薄波导层时的近圆形光斑，使得光斑的纵横模比为1.5‑1.7，有利于AlGaInP半导体激光器的进一步应用；工艺设计合理，操作简单，具体较高的实用性。
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公开(公告)号：CN114696216A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011609341.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法，包括以下步骤：生长半导体外延膜层及ESL；在外延片上依次形成一次二氧化硅掩膜和一次光刻胶掩膜，并光刻成周期性的脊条窗口；ICP刻蚀氧化硅掩膜；继续ICP刻蚀外延层至一定深度，形成窄脊条结构；去除残留光刻胶；腐蚀GaAs接触层，形成内缩结构；生长并ICP刻蚀二次二氧化硅掩膜；湿法腐蚀外延膜层至腐蚀阻挡层；去除掩膜后生长SiO2电流阻挡层，并形成二次光刻胶掩膜图形；ICP刻蚀去除GaAs顶部的电流阻挡层，漏出电流注入窗口，完成脊型结构制作。采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方式，脊型高度可精确控制，侧壁垂直，同时减小脊条上的电流注入区域，提高了电流注入密度。
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公开(公告)号：CN112652685B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201910961544.7
申请日：2019-10-11
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种采用不同材料DBR提高亮度的GaAs基LED及其制备方法，该LED包括AlGaAs复合吸收材料DBR、Alx8Ga1‑x8InP晶格过渡层和AlGaInP复合透明材料DBR，AlGaAs复合吸收材料DBR由Alx4Ga1‑x4As层和Alx5Ga1‑x5As层交替生长组成，AlGaInP复合透明材料DBR由Alx6Ga1‑x6InP层和Alx7Ga1‑x7InP层交替生长组成。本发明中采用不同材料的AlGaAs复合吸收材料DBR与AlGaInP复合透明材料DBR，可以拓展反射图谱的宽度，提升非法线方向入射的光的反射率，从而能够提高LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112542767B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910894514.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基半导体激光器芯片及其制备方法，所述激光器芯片包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次设有外延层和P面管芯结构，所述GaAs衬底远离外延层的一侧镀有N面电极，所述GaAs衬底与N面电极接触的端面上设置有粗糙区。本发明工艺设计合理，不仅有效提高了芯片的整体厚度，芯片的弯曲度和翘曲度明显小于常规抛光工艺处理后的薄芯片，避免了镀膜不均匀和磨料渗入管芯P/N面的情况；同时粗糙区能够提高衬底与N面电极的接触面积，降低了半导体与N面电极之间的接触电阻，有效降低激光器管芯的体电阻，从而减低激光器的阈值电流，提高了电光转换效率，提高了N面电极与GaAs衬底之间的粘附性，避免出现N面电极脱落的情况。
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公开(公告)号：CN112397975A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910760509.9
申请日：2019-08-16
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 一种激光系统QBH老化散热装置及工作方法，包括底座、散热装置、QBH固定装置；所述底座上侧设置有QBH固定装置，QBH固定装置一侧设置有散热装置，底座上均匀排列有螺纹通孔，所述QBH固定装置包括固定底座、支撑杆、固定平台、盖板；固定底座上设置有螺纹通孔相适应的通孔，固定底座与底座之间通过螺栓连接，固定底座上侧通过支撑杆连接固定平台，固定平台上设置凹槽，凹槽设置有QBH头，QBH头上侧设置有盖板。通过凹槽连接QBH头，连接更加稳固，所述散热装置包括马鞍形底座、圆形石墨盘；QBH固定装置的放置位置灵活，可根据需要调节位置和数量，安装简单，通用性强，降低了设计成本、QBH固定装置与底座之间通过螺栓固定连接，连接牢固。
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公开(公告)号：CN110854678B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810950148.X
申请日：2018-08-20
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: H01S5/34 , H01S5/343 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 一种GaAs基大功率激光器制备方法，在生长GaAs低温缓冲层、AlxGayAs下限制层、AlGaAs下波导层、量子阱发光区、AlGaAs上波导层、AlxGayAs上限制层以及GaAs帽层时均是先通入AsH3气体后通入组分定义的TMAl气体，间隔1‑5秒后停止通入TMAl气体且通入组分定义的TMGa气体，间隔1‑10秒后停止通入AsH3气体及TMGa气体停止生长1‑50s。并且通过周期循环的方式达到每层生长的厚度要求。此结构能精确的以每周期一个单原子层来控制外延生长，外延表面更加原子级平整，外延层的厚度只决定于外延的周期数，解决化学气象生长的对温度、束流大小等敏感的问题，可以在较低的温度下生长高质量的薄膜材料，保证电流扩展和光学特性，提高了器件的可靠性、稳定性。
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公开(公告)号：CN112305672A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910683304.5
申请日：2019-07-26
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: G02B6/255
Abstract: 本发明涉及一种光纤熔接点保护装置及保护方法，包括散热基板；散热基板上的中间位置处为包层V形槽区，以包层V形槽区为中心区域分别向两侧依次对称设置有涂覆层V形槽区、装置定位区、缓冲区和束缚固定区；包层V形槽区设置有若干个包层V形槽，涂覆层V形槽区设置有若干个涂覆层V形槽，且包层V形槽和涂覆层V形槽同轴线设置。本发明提供的光纤熔接点保护装置不仅突破常规单芯光纤的熔接和保护，而且集成多根光纤的熔接点保护，同时兼顾散热及光纤尾部区域的缓冲过渡，更有利于系统的集成。光纤熔接点的集中处理和保护，效率高，成本低，散热好，操作方便，易于固定，可靠性高，适合工业应用。
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公开(公告)号：CN108346972B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201710054607.1
申请日：2017-01-24
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层；第一上限制层为高铝组分的AlGaInP材料与低铝组分的AlGaInP材料交替生长的超晶格结构，所述第一上限制层中，高铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，低铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，第二上限制层为高铝组分的AlGaInP材料，第二上限制层的掺杂材料为Mg。本发明使用高掺杂的第一上限制层及第二上限制层，可以降低外延层的串联电阻，减少焦耳热的产生，提高了光电转换效率。
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