发明公开
- 专利标题: 操作双向双基极双极结型晶体管(B-TRAN)的方法及系统
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申请号: CN202180082318.7申请日: 2021-11-30
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公开(公告)号: CN116686095A公开(公告)日: 2023-09-01
- 发明人: A·莫贾布 , D·布达尔 , R·于 , J·伍德
- 申请人: 理想能量有限公司
- 申请人地址: 美国德克萨斯州
- 专利权人: 理想能量有限公司
- 当前专利权人: 理想能量有限公司
- 当前专利权人地址: 美国德克萨斯州
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王允方
- 优先权: 63/123,704 20201210 US
- 国际申请: PCT/US2021/061078 2021.11.30
- 国际公布: WO2022/125323 EN 2022.06.16
- 进入国家日期: 2023-06-07
- 主分类号: H01L29/73
- IPC分类号: H01L29/73
摘要:
本发明涉及操作双向双基极双极结型晶体管(B‑TRAN)。一个实例是一种方法,其包括:使第一负载电流从电源模块的上端子通过晶体管传导到所述晶体管的上集电极‑发射极且从下集电极‑发射极传导到所述电源模块的下端子;及接着响应于第一中断信号断言,通过断开下主FET来中断从所述下集电极‑发射极到所述下端子的所述第一负载电流且借此使第一关断电流通过所述晶体管的下基极换向到所述下端子;及通过所述晶体管阻断从所述上端子到所述下端子的电流。
IPC分类: