公开(公告)号：CN113691245A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110540068.9

申请日：2021-05-18

申请人： 理想能量有限公司

发明人： A·莫贾布

IPC分类号： H03K17/041 ,  H03K17/60 ,  H01L29/73

摘要： 本公开涉及使用双向双基极双极结型晶体管的开关组合件及其操作方法。一个实例是一种方法，其包括：以第一速率将电荷载流子注入到所述晶体管的上基极中，以所述第一速率的所述注入导致从上集电极‑发射极到下集电极‑发射极通过所述晶体管的电流流动，且所述电流流动导致跨所述上集电极‑发射极及所述下集电极‑发射极测量的第一电压降；及接着，在所述晶体管的第一导电周期结束之前的预定时间段内，以低于所述第一速率的第二速率将电荷载流子注入到所述上基极中，以所述第二速率的所述注入导致跨所述上集电极‑发射极及所述下集电极‑发射极测量的第二电压降，所述第二电压降高于所述第一电压降；及接着在所述导电周期结束时使所述晶体管不导电。

公开(公告)号：CN116670833A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180077338.5

申请日：2021-11-11

申请人： 理想能量有限公司

发明人： R·A·布兰查德 ,  A·莫贾布

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明涉及用以减少端点处的电流拥塞的布局。至少一个实例是一种半导体装置，其包括：发射极区，其界定呈具有平行边的长圆形形状的内边界，且所述长圆形具有各自具有半径的半球形端；基极区，其具有第一端、与所述第一端相对的第二端，及基极长度，所述基极区安置于所述长圆形内，其中所述基极长度平行于所述平行边且在所述平行边之间居中，所述第一端与所述第一半球形端间隔开大于所述半径的第一间隙，且所述第二端与所述第二半球形端间隔开大于所述半径的第二间隙。

公开(公告)号：CN117795685A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280054651.1

申请日：2022-08-10

申请人： 理想能量有限公司

发明人： J·布 ,  C·布卢恰 ,  A·莫贾布 ,  J·克纳普 ,  R·D·布达尔

IPC分类号： H01L29/732 ,  H03K17/60

摘要： 双向沟槽电源开关。至少一个实例是一种半导体装置，其包括：上基极区，其与半导体材料衬底的第一侧相关联；上CE沟槽，其界定于所述第一侧上，所述上CE沟槽界定所述第一侧处的近端开口及所述衬底内的远端；上集电极‑发射极区，其经安置于所述上CE沟槽的所述远端处；下基极区，其与衬底的第二侧相关联；及下集电极‑发射极区，其与所述第二侧相关联。

公开(公告)号：CN116686095A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180082318.7

申请日：2021-11-30

申请人： 理想能量有限公司

发明人： A·莫贾布 ,  D·布达尔 ,  R·于 ,  J·伍德

IPC分类号： H01L29/73

摘要： 本发明涉及操作双向双基极双极结型晶体管(B‑TRAN)。一个实例是一种方法，其包括：使第一负载电流从电源模块的上端子通过晶体管传导到所述晶体管的上集电极‑发射极且从下集电极‑发射极传导到所述电源模块的下端子；及接着响应于第一中断信号断言，通过断开下主FET来中断从所述下集电极‑发射极到所述下端子的所述第一负载电流且借此使第一关断电流通过所述晶体管的下基极换向到所述下端子；及通过所述晶体管阻断从所述上端子到所述下端子的电流。