- 专利标题: 一种水溶性KDP晶体元件表面微缺陷DPN修复过程液桥全范围计算方法
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申请号: CN202310241690.9申请日: 2023-03-14
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公开(公告)号: CN116705198B公开(公告)日: 2023-11-17
- 发明人: 程健 , 陈广 , 陈明君 , 赵林杰 , 王景贺 , 丁雯钰 , 徐文才 , 侯家锟 , 雷鸿钦
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 黑龙江立超同创知识产权代理有限责任公司
- 代理商 杨立超
- 主分类号: G16C60/00
- IPC分类号: G16C60/00 ; G06F30/17 ; G06F30/20 ; G06F17/11 ; G06F17/13 ; G06F111/14
摘要:
本发明提供了一种水溶性KDP晶体元件表面微缺陷DPN修复过程液桥全范围计算方法,属于微纳制造技术领域。为了解决现有方法不适用于高环境湿度下液桥会覆盖延伸到锥形主体区域,及液桥形貌曲线与元件表面接触点处的斜率接近无穷大的极端情况,同时计算纳米尺度液桥形貌的误差曲线存在双解现象,极易求得错误的结果。本发明将AFM针尖模型构建为针尖球头和锥形本体根据探针针尖、KDP晶体元件和液桥形貌曲线的几何关系,构建液桥形貌曲线的参数化常微分方程及探针针尖复合轮廓的几何方程;采用粗寻根和精寻根两个步骤,并结合二分法对液桥形貌曲线进行求解。本发明方法更适用于高环境湿度条件下水溶性KDP晶体元件DPN修复过程液桥形貌的计算。
公开/授权文献
- CN116705198A 一种水溶性KDP晶体元件表面微缺陷DPN修复过程液桥全范围计算方法 公开/授权日:2023-09-05