- 专利标题: 半导体寿命测试方法、装置、存储介质及终端设备
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申请号: CN202311053826.X申请日: 2023-08-21
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公开(公告)号: CN116754920B公开(公告)日: 2023-10-27
- 发明人: 赵东艳 , 梁英宗 , 陈燕宁 , 刘芳
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼;
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 谢熠
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26 ; G06N3/0442 ; G06N3/048 ; G06N3/084 ; G06N3/096
摘要:
本申请实施例提供一种半导体寿命测试方法、装置、存储介质及终端设备,属于半导体技术领域。方法包括:实时获取待测半导体在加速应力试验下的特征参数;在确定获取到的特征参数的退化量达到第一阈值的情况下,以当前获取到的特征参数构成的时间序列数据集为输入,经半导体寿命预测模型输出待测半导体的失效时刻。半导体寿命预测模型由与待测半导体同一类别的半导体在加速应力试验下的第一时间序列样本数据集对目标域模型训练后得到,目标域模型由对预训练的源域模型进行迁移学习后得到。本申请能够有效减少试验数据的采集量,降低了半导体器件的可靠性测试时间,提高了测试效率。
公开/授权文献
- CN116754920A 半导体寿命测试方法、装置、存储介质及终端设备 公开/授权日:2023-09-15