- 专利标题: 基于节点渐进式的大口径KDP晶体元件表面全域微缺陷修复用自动对刀工艺规划方法
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申请号: CN202310611027.3申请日: 2023-05-29
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公开(公告)号: CN116834163A公开(公告)日: 2023-10-03
- 发明人: 程健 , 侯家锟 , 陈明君 , 赵林杰 , 武文强 , 刘启 , 王景贺 , 刘志超 , 王健 , 许乔
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 黑龙江立超同创知识产权代理有限责任公司
- 代理商 杨立超
- 主分类号: B28D5/02
- IPC分类号: B28D5/02 ; B28D7/00 ; B28D7/02 ; G06F30/17 ; G06F30/23 ; G06T7/00 ; G06T7/62 ; G06F119/14
摘要:
基于节点渐进式的大口径KDP晶体元件表面全域微缺陷修复用自动对刀工艺规划方法,涉及光学工程技术领域,为解决现有自动对刀方法对对刀阶段的划分准确性不高、缺少安全判据、自动对刀过程的效率不高的问题。本发明采用对晶体口径外三点标定的方法,建立晶体待修复表面的拟合平面方程,并考虑重力变形的影响,划分粗对刀阶段与精对刀阶段;确定粗对刀阶段进给参数和进式进刀策略,通过修复显微镜系统辅助测距,对刀尖到晶体待修复表面运动过程的距离进行修正,增设安全判据;确定精对刀阶段的进给参数和进给策略,对比每次进给前后扫描显微镜采集到的图像并进行处理,以视野中出现对刀凹坑作为对刀成功标志。实现准确、安全和高效的对刀过程。