本申请公开了一种单片式半导体晶圆刻蚀装置，包括腔室、上电极板、下电极板、位于上电极和下电极之间的静电载盘、用于向腔室内供气的供气单元以及用于抽真空的抽真空单元；腔室内还安装有包围静电载盘的环形基台，环形基台通过多个第一L形支架连接有圆环形载台，圆环形载台处承载有圆环形的装载板，装载板处具有多个圆形凹槽，每个圆形凹槽处固定安装有一个检测晶圆。本申请的刻蚀装置，在刻蚀的过程中，利用显微镜单元对检测晶圆进行图像采集，检测晶圆与待刻蚀的半导体晶圆处于相同的工作环境，从而可以通过检测晶圆的刻蚀效果推断出正在加工的半导体晶圆的刻蚀效果，进而能够在刻蚀的过程中就能检测到半导体晶圆的刻蚀效果。