本发明属于半导体技术领域，尤其是涉及一种集成肖特基势垒二极管的RC‑GaN HEMT器件。本发明在传统GaN HEMT的基础上集成了肖特基势垒二极管，当漏极施加负压的绝对值增大到能够克服源极肖特基金属的势垒时，器件开始反向导通，此时通过AlGaN/GaN异质结沟道下方的肖特基势垒二极管续流，电流从阳极出发经过具有Al组分变化AlGaN层到达阴极，器件的反向导通电压不受栅极阈值电压的影响；当漏极施加负压的绝对值进一步增大到一定程度时，器件上方HEMT结构栅下的2DEG沟道开启，进一步增加器件的反向导通电流。正向阻断时，栅极零偏，P‑GaN使栅极下方2DEG沟道被耗尽，实现器件增强型。本发明使得GaN HEMT器件具有反向续流的功能，同时，避免因寄生效应带来的器件性能的下降。