发明公开
- 专利标题： 用于颗粒控制的腔室配置和工艺
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申请号： CN202180076860.1申请日： 2021-10-11
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公开(公告)号： CN116868301A公开(公告)日： 2023-10-10
- 发明人: 吴飞 , A·A·哈贾 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , V·普拉巴卡尔
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 侯颖媖; 张鑫
- 优先权： 17/071,506 20201015 US
- 国际申请： PCT/US2021/054377 2021.10.11
- 国际公布： WO2022/081458 EN 2022.04.21
- 进入国家日期： 2023-05-15
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32
摘要：
示例性处理方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的远程区域中形成清洁前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：将清洁前驱物的等离子体流出物流动到半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括以下步骤：将基板支撑件与等离子体流出物接触达第一时间段。所述方法可包括以下步骤：将基板支撑件从第一位置降低至第二位置，同时继续流动清洁前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括以下步骤：清洁半导体处理腔室的处理区域达第二时间段。
