发明授权
- 专利标题: 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
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申请号: CN202311149652.7申请日: 2023-09-07
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公开(公告)号: CN116884997B公开(公告)日: 2023-12-22
- 发明人: 冯尹 , 张鹏
- 申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
- 申请人地址: 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)
- 专利权人: 珠海格力电子元器件有限公司,珠海格力电器股份有限公司
- 当前专利权人: 珠海格力电子元器件有限公司,珠海格力电器股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王晓玲
- 主分类号: H01L29/739
- IPC分类号: H01L29/739 ; H01L21/331
摘要:
本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该绝缘栅双极型晶体管结构包括:集电层,具有第一掺杂类型;漂移层,设置于集电层的一侧,且漂移层具有第二掺杂类型;栅极结构,设置于漂移层远离集电层的一侧;第一掺杂层,接触设置于漂移层远离集电层的一侧,第一掺杂层包括第一部分和第二部分,第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域,第一间隔区域位于栅极结构靠近漂移层的一侧,且第一掺杂层具有第一掺杂类型;第二掺杂层,第二掺杂层在第一掺杂层上的投影位于第一间隔区域两侧,分别与栅极结构和第一掺杂层接触设置,且第二掺杂层具有第二掺杂类型;发射层,接触设置于第一掺杂层远离漂移层的一侧,且发射层具有第一掺杂类型。
公开/授权文献
- CN116884997A 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 公开/授权日:2023-10-13
IPC分类: