Invention Publication
- Patent Title: 蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法
-
Application No.: CN202310350701.7Application Date: 2023-04-04
-
Publication No.: CN116891747APublication Date: 2023-10-17
- Inventor: 黄圭荣 , 姜炳俊 , 金大铉 , 金煌奭 , 朴美贤 , 吴政玟 , 李晓山 , 崔炳基 , 咸喆
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 金拟粲
- Priority: 10-2023-0042150 20230330 KR 10-2023-0042150 20230330 KR 10-2023-0042150 20230330 KR
- Main IPC: C09K13/00
- IPC: C09K13/00 ; C23F1/20 ; C23F1/26 ; C23F1/30 ; C23F1/36 ; C23F1/38 ; C23F1/40 ; C23F1/02 ; H01L21/3213 ; C09K13/06
Abstract:
提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑6中，Ar1、X1至X3、Y1、T1、T1a、R2、Z1、a1和A1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
Information query
