发明公开
- 专利标题： NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法
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申请号： CN202310865530.1申请日： 2023-07-14
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公开(公告)号： CN116903777A公开(公告)日： 2023-10-20
- 发明人: 谭小地 , 李庆东 , 林枭 , 吴俊辉
- 申请人： 福建师范大学
- 申请人地址： 福建省福州市闽侯县上街镇大学城福建师范大学科技处
- 专利权人： 福建师范大学
- 当前专利权人： 福建师范大学
- 当前专利权人地址： 福建省福州市闽侯县上街镇大学城福建师范大学科技处
- 代理机构： 福州市博深专利事务所
- 代理商 张书恩
- 主分类号： C08F220/14
- IPC分类号： C08F220/14 ; C08F226/08 ; C08F2/44 ; C08K5/08 ; G11B7/245
摘要：
本发明涉及全息存储材料技术领域，具体涉及NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法。该NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料，原料包括NVP、MMA、PQ和AIBN。在PQ\PMMA中掺杂NVP，以实现光致聚合物材料作为全息存储的优良介质。该材料制备工艺简单，价格低廉，有较高的衍射效率和感光灵敏度，相较于PQ\PMMA可以更好地用于全息成像及数据存储领域。
IPC分类:
