一种光致聚合物全息存储材料、全息光盘及其制备方法

    公开(公告)号:CN115602201A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211337119.9

    申请日:2022-10-28

    IPC分类号: G11B7/245

    摘要: 本发明属于全息聚合物材料技术领域,具体涉及一种光致聚合物全息存储材料、全息光盘及其制备方法。该光致聚合物全息存储材料由以下质量比的原料制备而成:MMA:NMP:AIBN:PQ=100:5~25:0.7~1:1~1.5。该光致聚合物全息存储材料通过在PQ/PMMA(菲醌/聚甲基丙烯酸甲酯)中掺杂NMP(N‑甲基吡咯烷酮)进行配比,显著提升了材料的光学性能。

    一种全息光存储聚合物及其制造方法

    公开(公告)号:CN108047369B

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201711259188.1

    申请日:2017-12-04

    IPC分类号: C08F120/36 G11B7/245

    摘要: 本发明涉及一种全息光存储聚合物及其制造方法。全息光存储聚合物是一种含有手性基团的假芪型偶氮高分子材料。全息光存储聚合物的制造方法是以S‑2‑甲基‑1‑丁醇为手性源,通过与4‑氨基苯甲酸反应得到带有手性基团的苯胺衍生物,然后再通过重氮偶合反应制备含有手性基团的假芪型偶氮单体,最后通过聚合反应将合成的偶氮单体聚合得到相应的聚合物。全息光存储聚合物的偶氮基团与聚合物主链之间的柔性间隔基为2‑16个亚甲基。该全息光存储聚合物的分子量可调,在532纳米的干涉激光照射下,可以在该全息光存储聚合物表面加工出12重及以上的表面准晶结构,可以在1分钟内于该全息光存储聚合物膜表面进行全息光存储,形成的全息图案可以被擦除并重新写入。

    具有改进的光敏性的全息介质

    公开(公告)号:CN106030711B

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201480075951.3

    申请日:2014-12-16

    摘要: 本发明涉及包含基质聚合物、书写单体和光引发剂并进一步包含式(I)的化合物的新型光聚合物制剂(I)其中A1、A2和A3各自独立地为氢、氟、氯、溴或碘,R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢、卤素、氰基、硝基、氨基、烷基亚氨基、叠氮基、异氰基、烯胺基、甲酰基、酰基、羧基、羧酸酯、羧酰胺、原酸酯、磺酸酯、磷酸酯、有机磺酰基、有机亚砜基、任选氟代的烷氧基或任选取代的芳族、杂芳族、脂族、芳脂族、烯属或炔属基团,且合适的基团可经任意取代的桥相互连接,或两个或更多个式(I)的化合物可经基团R1、R2、R3、R4和R5的至少一个相接,其中这些基团此时可为2‑至4‑重官能桥,条件是基团R1、R2、R3、R4和R5的至少一个不是氢。本发明的进一步主题是包含基质聚合物、书写单体和光引发剂的光聚合物、包含本发明的光聚合物制剂或可用其获得的全息介质、本发明的全息介质用于制造全息介质的用途以及使用本发明的光聚合物制剂制造全息介质的方法。