发明公开
- 专利标题: 一种高硅铝合金的真空冶金连接方法
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申请号: CN202310919451.4申请日: 2023-07-25
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公开(公告)号: CN116921895A公开(公告)日: 2023-10-24
- 发明人: 程圣 , 杜小东 , 金涛 , 陈帅 , 马晓琳 , 王天石 , 谷岩峰 , 张富官 , 余克壮 , 李立 , 马政伟 , 曹洪志 , 曾强 , 唐勇刚 , 曾红玲 , 杨光华
- 申请人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 申请人地址: 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人地址: 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 代理机构: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理商 刘世权
- 主分类号: B23K28/02
- IPC分类号: B23K28/02 ; B23K20/12 ; B23K20/02 ; B23K20/24
摘要:
本发明公开了一种高硅铝合金的真空冶金连接方法,涉及扩散焊技术领域,包括如下步骤:S1、通过搅拌摩擦焊的方式对待焊接高硅铝合金工件进行焊前处理,用于提高待焊接高硅铝合金工件的待焊接表面的铝元素含量;S2、将经过步骤S1处理的待焊接高硅铝合金工件在真空条件下进行扩散焊焊接,得到焊接后的高硅铝合金工件。本发明操作简单,在高硅元素含量的硅铝合金扩散焊焊接前,采用一种工艺冶金方法对待焊接表面做焊前处理,提高焊接表面铝元素含量,进而提高扩散焊焊接表面铝元素与铝元素的接触占比,最终实现提高扩散焊焊接接头的强度。即保持了高硅铝合金材料的优点,又提高了扩散焊焊接接头的强度。
IPC分类: