发明授权
- 专利标题： 一种内置磁场装置的光伏半导体单晶炉
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申请号： CN202310960821.9申请日： 2023-08-02
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公开(公告)号： CN116926656B公开(公告)日： 2023-12-26
- 发明人: 黄涛明 , 章勇 , 刘存华 , 刘磊磊 , 王栋梁
- 申请人： 鸿新新能源科技(云南)有限公司
- 申请人地址： 云南省大理白族自治州祥云县祥城镇财富工业园区
- 专利权人： 鸿新新能源科技(云南)有限公司
- 当前专利权人： 鸿新新能源科技(云南)有限公司
- 当前专利权人地址： 云南省大理白族自治州祥云县祥城镇财富工业园区
- 代理机构： 北京中北知识产权代理有限公司
- 代理商 李真真
- 主分类号： C30B15/00
- IPC分类号： C30B15/00 ; C30B29/06 ; H01L31/18
摘要：
本发明涉及太阳能光伏、半导体单晶炉生产单晶装置领域，具体涉及一种内置磁场装置的光伏半导体单晶炉。一种内置磁场装置的光伏半导体单晶炉，包括：炉筒、坩埚、导流筒、第一保温层、第二保温层、磁场组件和顶升组件，所述磁场组件设置在所述炉筒内侧，和所述第一保温层、第二保温层外侧的空间。与现有技术相比，本申请提供的内置磁场单晶炉，不仅设备占地面积小，能耗低，而且减轻坩埚溶解，进而提高坩埚的使用寿命。
公开/授权文献
- CN116926656A 一种内置磁场装置的光伏半导体单晶炉 公开/授权日：2023-10-24
IPC分类:
