本发明提供了一种微纳加工方法及其光刻介质，属于微纳加工领域，其采用无机小分子作为光刻介质执行光刻工艺，利用电子、离子或/和光子的高能量束对光刻介质设定区域进行照射，被照射区域的无机小分子发生升华而被刻蚀，直接形成所需的光刻图案。在光刻介质去除过程中，还可采用物理干法粘连剥离，全程避免溶剂或液体的使用，实现对敏感材料的微纳加工。作为光刻介质的无机小分子通过范德华作用力形成固体薄膜，薄膜厚度为5nm～8000nm。光刻介质包括无机小分子单质、二元或三元无机小分子化合物类或者至少以上两种组成的混合物。本发明方法能简化微纳加工步骤，避免显影液、清洗剂等的使用，实现对敏感材料和器件的微纳加工。