发明公开
- 专利标题: 双异质结双极晶体管及其制备方法
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申请号: CN202310993054.1申请日: 2023-08-08
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公开(公告)号: CN116978785A公开(公告)日: 2023-10-31
- 发明人: 付兴中 , 陈卓 , 周国 , 崔雍 , 孙虎 , 胡多凯 , 高三磊 , 高昶 , 王国清 , 张力江
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 刘少卿
- 主分类号: H01L21/331
- IPC分类号: H01L21/331 ; H01L29/737
摘要:
本发明提供一种双异质结双极晶体管及其制备方法。该方法包括:在待制备的圆片上制作发射区电极,并基于发射区电极对圆片中的发射区进行湿法腐蚀,以使圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露;在第一分界层的上表面制作基区电极,并基于基区电极,依次对第一分界层和基区进行湿法腐蚀,以使圆片中基区和集电区之间的第二分界层暴露;在第二分界层的上表面制作集电区电极,并基于集电区电极,依次对第二分界层和集电区进行湿法腐蚀,以使圆片中集电区和腐蚀终止层之间的第三分界层暴露;依次对第三分界层、腐蚀终止层和圆片的InP衬底进行湿法腐蚀,得到双异质结双极晶体管。本发明能够提高器件的性能和隔离度。
IPC分类: