公开(公告)号：CN113871463A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111016883.1

申请日：2021-08-31

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 谭永亮 ,  周国 ,  高三垒 ,  秦龙 ,  胡多凯 ,  崔雍

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329

摘要： 本发明提供一种氮化镓垂直型PIN二极管，包括：衬底，衬底相对设有第一表面和第二表面；氮化镓缓冲层，外延生长在衬底的第一表面；PIN结，PIN结包括在氮化镓缓冲层上依次垂直生长的N+氮化镓外延层、本征氮化镓外延层、P+氮化镓外延层；阳极电极，设置在P+氮化镓外延层远离衬底的第一表面；阴极电极，包括欧姆接触电极金属层和阴极金属层，其中，在衬底的第二表面设有刻蚀槽，刻蚀槽至少延伸至露出N+氮化镓外延层，欧姆接触电极金属层设置在刻蚀槽内、与N+氮化镓外延层形成欧姆接触，阴极金属层形成在欧姆接触电极金属层上。本发明通过在PIN结节两侧分别制备对称分别的阴极电极和阳极电极，从而形成垂直型PIN二极管，提高了芯片的集成度。

公开(公告)号：CN116978785A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310993054.1

申请日：2023-08-08

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 付兴中 ,  陈卓 ,  周国 ,  崔雍 ,  孙虎 ,  胡多凯 ,  高三磊 ,  高昶 ,  王国清 ,  张力江

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737

摘要： 本发明提供一种双异质结双极晶体管及其制备方法。该方法包括：在待制备的圆片上制作发射区电极，并基于发射区电极对圆片中的发射区进行湿法腐蚀，以使圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露；在第一分界层的上表面制作基区电极，并基于基区电极，依次对第一分界层和基区进行湿法腐蚀，以使圆片中基区和集电区之间的第二分界层暴露；在第二分界层的上表面制作集电区电极，并基于集电区电极，依次对第二分界层和集电区进行湿法腐蚀，以使圆片中集电区和腐蚀终止层之间的第三分界层暴露；依次对第三分界层、腐蚀终止层和圆片的InP衬底进行湿法腐蚀，得到双异质结双极晶体管。本发明能够提高器件的性能和隔离度。

公开(公告)号：CN108336021A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810168894.3

申请日：2018-02-28

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 宋洁晶 ,  谭永亮 ,  胡多凯 ,  李飞 ,  周国 ,  崔玉兴

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/335

摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，该方法包括：在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；去除所述介质层与第一通孔区对应的部分，露出势垒层，形成一个第一通孔；在形成第一通孔后的所述晶圆的源电极区制作正面源电极；依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分，形成一个第二通孔；在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁上均生长第一金属层，所述第一金属层与所述正面源电极相连本发明能够精确控制通孔尺寸，提高通孔刻蚀工艺的一致性和稳定性。

公开(公告)号：CN117558709A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311435265.X

申请日：2023-10-31

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 王川宝 ,  默江辉 ,  付兴中 ,  李保第 ,  胡泽先 ,  胡多凯 ,  张力江 ,  崔玉兴

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

摘要： 本发明实施例提供一种带源场板的射频芯片、射频组件，该芯片包括有源区和环绕有源区的无源区。有源区依次设置有长条形源电极、栅电极和漏电极。栅电极的下方设置有第一介质层。栅电极远离源电极的一侧的上方还设置有长条形源场板，其中，栅电极与源场板之间设置有第二介质层。有源区之外的无源区设置有互联金属线。互联金属线一端连接源场板，另一端连接源电极。本发明实施例通过将源场板与源电极的互联方式设置为在无源区进行互联，一方面避免厚度受限的源场板在有源区跨过栅电极互联时容易断裂问题。另一方面设置在无源区的互联金属线的厚度不受限制，可进一步减少源场板与源电极互联时因厚度差较大容易断裂问题，提升了连接可靠性。

公开(公告)号：CN117198989A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311020305.4

申请日：2023-08-14

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 宋洁晶 ,  陈卓 ,  崔雍 ,  孙虎 ,  胡多凯 ,  周国 ,  高昶 ,  王国清 ,  张力江 ,  崔玉兴

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/64 ,  H01L23/552

摘要： 本申请适用于集成电路技术领域，提供了基于BCB的MIMC多层布线方法。该方法包括：在晶圆表面依次制备有源器件、第一介质保护层和第一BCB层；在第一BCB层上制备第一金属层，第一金属层包括多个独立的第一金属区域，各个第一金属区域分别与有源器件的电极接触，将有源器件中需要接地的电极进行互联，将其他电极独立引出；在第一金属层上依次制备第二介质保护层和第二BCB层；在第二BCB层上依次制备第二金属层以及覆盖第二金属层的第三BCB层；在第三BCB层上表面依次制备无源器件、第三介质保护层和第三金属层。本申请能够减小寄生效应。

公开(公告)号：CN117059561A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310964779.8

申请日：2023-08-02

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 宋洁晶 ,  武毅畅 ,  周国 ,  廖龙忠 ,  秦龙 ,  李波 ,  宋红伟 ,  胡多凯 ,  付兴中 ,  张力江

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

摘要： 本申请提供一种金刚石基氮化镓制备方法及金刚石基氮化镓晶圆。该制备方法包括：将碳化硅基氮化镓晶圆和金刚石晶圆进行键合，碳化硅基氮化镓晶圆包括氮化镓晶圆和碳化硅衬底；将预设注入能量的氢离子从碳化硅衬底的第一表面注入碳化硅衬底，得到具有离子注入层的碳化硅衬底；第一表面为接触氮化镓晶圆的碳化硅衬底表面；第二表面为远离氮化镓晶圆的碳化硅衬底表面；预设注入能量与碳化硅衬底的厚度呈正相关；利用热处理将碳化硅衬底从离子注入层处剥离，得到金刚石基氮化镓晶圆。本申请能够获得完整且键合良好的金刚石基氮化镓晶圆。

公开(公告)号：CN109326523A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811391541.6

申请日：2018-11-21

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 崔玉兴 ,  刘佳佳 ,  付兴中 ,  王川宝 ,  胡多凯

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66212

摘要： 本发明提供了一种碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管，属于半导体制备领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积介质保护层；在介质保护层上涂覆一层光刻胶，对肖特基接触区域进行光刻，露出需要蒸发的肖特基接触金属区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属为先沉积金属铌，再沉积铝、镍、银、金中一种、两种或三种或其组合；金属剥离，去除非肖特基接触区域的金属，保留肖特基接触区域的金属；快速退火，形成肖特基接触。本发明提供的碳化硅肖特基接触的制备方法，能够解决现有技术中存在的肖特基接触形成的势垒高度大、损耗大等技术问题。