本发明公开了一种带有悬浮桥结构的高灵敏度SNSPD，在热氧化硅衬底上，使用反应磁控溅射制备NbN薄膜；在NbN薄膜上旋涂光刻胶AZ1500，使用深紫外曝光的方式绘制电极图形，使用Ti薄膜和Au薄膜来制备电极；在Ti薄膜和Au薄膜上，通过电子束曝光的方式绘制纳米线图形；利用反应离子刻蚀的方式，去除未被保护的NbN薄膜，进而制备出纳米线；在NbN薄膜上旋涂光刻胶AZ4620，利用深紫外曝光的方式制备刻蚀的窗口；根据所需要的灵敏度要求确定出悬浮桥的尺寸，通过控制刻蚀的时间，去除纳米线下方的硅衬底，从而形成具有不同尺寸悬浮桥的结构。本发明结构简单，能够明显调控SNSPD的探测灵敏度，并且这种结构也不会降低探测器的其他性能。