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公开(公告)号：CN113555467A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110675450.0
申请日：2021-06-17
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L39/24 , H01L39/12
摘要： 本发明公开了一种大面积MoSi超导微米线单光子探测器的激光直写制备方法，将Si基片分别用丙酮、酒精和去离子水超声清洗；将清洗后的基片送入磁控溅射系统副室进行氩离子清洗；将离子铣后的基片送入主室，通过直流磁控溅射生长MoSi薄膜；在真空室中原位射频磁控溅射生长Nb5N6薄膜；绘制掩模版图形，并采用图形补偿的方法增加微米线拐角处的曝光面积；在样品表面旋涂S1805光刻胶，用激光直写光刻机进行光刻，然后放入正胶显影液显影30s，放入去离子水中定影1min，在光刻胶上形成微米线图案；用反应离子刻蚀的方式对做完激光直写的样品进行刻蚀，刻蚀后用丙酮超声1min除去残胶，从而形成微米线。本发明提高了大面积超导微米线单光子探测器的制备效率。
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公开(公告)号：CN113555467B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110675450.0
申请日：2021-06-17
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H10N60/01 , H10N60/85
摘要： 本发明公开了一种大面积MoSi超导微米线单光子探测器的激光直写制备方法，将Si基片分别用丙酮、酒精和去离子水超声清洗；将清洗后的基片送入磁控溅射系统副室进行氩离子清洗；将离子铣后的基片送入主室，通过直流磁控溅射生长MoSi薄膜；在真空室中原位射频磁控溅射生长Nb5N6薄膜；绘制掩模版图形，并采用图形补偿的方法增加微米线拐角处的曝光面积；在样品表面旋涂S1805光刻胶，用激光直写光刻机进行光刻，然后放入正胶显影液显影30s，放入去离子水中定影1min，在光刻胶上形成微米线图案；用反应离子刻蚀的方式对做完激光直写的样品进行刻蚀，刻蚀后用丙酮超声1min除去残胶，从而形成微米线。本发明提高了大面积超导微米线单光子探测器的制备效率。
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公开(公告)号：CN114563838B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210251952.5
申请日：2022-03-15
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种用于单光子探测的中红外频段高效吸收结构，并将这种结构与钨硅超导纳米线单光子探测器结合在一起来提高探测器的探测效率。所述高效吸收结构为金十字天线单元周期排布形成的超表面结构，将WSi纳米线与这种高效吸收结构结合起来，显著提高了WSi SNSPD在中红外波段的吸收率。此外，本发明也可以扩展到由其他薄膜材料制备成的SNSPD上。
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公开(公告)号：CN116995112A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310765114.4
申请日：2023-10-08
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L31/024 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
摘要： 本发明公开了一种带有悬浮桥结构的高灵敏度SNSPD，在热氧化硅衬底上，使用反应磁控溅射制备NbN薄膜；在NbN薄膜上旋涂光刻胶AZ1500，使用深紫外曝光的方式绘制电极图形，使用Ti薄膜和Au薄膜来制备电极；在Ti薄膜和Au薄膜上，通过电子束曝光的方式绘制纳米线图形；利用反应离子刻蚀的方式，去除未被保护的NbN薄膜，进而制备出纳米线；在NbN薄膜上旋涂光刻胶AZ4620，利用深紫外曝光的方式制备刻蚀的窗口；根据所需要的灵敏度要求确定出悬浮桥的尺寸，通过控制刻蚀的时间，去除纳米线下方的硅衬底，从而形成具有不同尺寸悬浮桥的结构。本发明结构简单，能够明显调控SNSPD的探测灵敏度，并且这种结构也不会降低探测器的其他性能。
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公开(公告)号：CN114563838A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210251952.5
申请日：2022-03-15
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种用于单光子探测的中红外频段高效吸收结构，并将这种结构与钨硅超导纳米线单光子探测器结合在一起来提高探测器的探测效率。所述高效吸收结构为金十字天线单元周期排布形成的超表面结构，将WSi纳米线与这种高效吸收结构结合起来，显著提高了WSi SNSPD在中红外波段的吸收率。此外，本发明也可以扩展到由其他薄膜材料制备成的SNSPD上。
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