发明公开
- 专利标题： 一种金属填孔方法及非制冷红外探测器的制作方法
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申请号： CN202311012066.8申请日： 2023-08-11
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公开(公告)号： CN117023509A公开(公告)日： 2023-11-10
- 发明人: 黄立 , 黄晟 , 江致兴 , 叶帆 , 王春水 , 汪超 , 汤东强 , 王嘉威
- 申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新三路27号5号楼510室(自贸区武汉片区)
- 专利权人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
- 当前专利权人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新三路27号5号楼510室(自贸区武汉片区)
- 代理机构： 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司
- 代理商 吴林
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00 ; B81B7/02 ; C25D7/12 ; C25D5/00
摘要：
本发明涉及半导体技术领域，具体为一种金属填孔方法及非制冷红外探测器的制作方法。本发明提供的一种基于电镀工艺的高填充率金属填孔方案，基于半导体制程工艺，在需要填充的孔底部先沉积种子层材料，通过电镀的方式，从孔底逐步向上电镀金属膜层，达到高填充率、高可靠性的填孔方案。
