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公开(公告)号：CN117174725A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311017159.X
申请日：2023-08-14
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/10 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片封装结构，包括芯片以及盖板，芯片的键合面和盖板的键合面上均设置有金属层，金属层之间通过金属间化合物层连接。本发明可以在相互键合的两个键合面上分别镀高熔点金属材料，并在其中一个键合面的高熔点金属材料上镀低熔点金属材料，通过熔融低熔点金属材料，使低熔点金属材料熔融后向两侧的高熔点金属材料中扩散以形成金属间化合物层，高熔点金属材料残留一定厚度作为金属层，通过金属间化合物层将两侧的金属层连在一起，实现芯片的封装，不仅可以在低温下键合，工艺成本低，而且金属间化合物熔点高，封装结构可以在高温下使用，适用范围更广。
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公开(公告)号：CN117163917A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311003350.9
申请日：2023-08-10
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体真空封装技术领域，具体涉及一种MEMS真空封装结构及封装方法，包括如下步骤：S1、制作封装结构，封装结构包括封装壳体以及被封装于封装壳体中的MEMS元件和吸气剂，且吸气剂被罩设于吸气剂保护罩中；S2、破坏吸气剂保护罩，使吸气剂暴露于封装壳体的内部环境中；S3、激活吸气剂，实现真空封装。本发明在吸气剂外设置吸气剂保护罩，起到保护吸气剂的作用，使吸气剂在封装结构制作过程中不受污染；同时在封装结构制作完成后，破坏吸气剂保护罩，使吸气剂暴露在封装壳体内部环境中，未经污染的吸气剂在激活后，可充分发挥其吸气性能，保证真空封装可靠性。
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公开(公告)号：CN117174724A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311017114.2
申请日：2023-08-14
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种晶圆级封装方法及封装结构，包括如下步骤：S1、将盖板晶圆和芯片晶圆键合：先在相互键合的两个第一键合面上分别镀第一金属层，并在其中一个第一金属层上镀第二金属层，将两个第一键合面对准，然后熔融第二金属层，将两侧的第一金属层连接；S2、划片，得到晶圆级封装结构。本发明通过熔融第二金属层，将两侧的第一金属层连接，从而实现盖板晶圆和芯片晶圆的键合，不仅工艺简单、成本低，而且适用于工业大批量生产。
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公开(公告)号：CN117023503A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311012059.8
申请日：2023-08-11
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体为一种红外增透膜层结构、制备方法以及非制冷红外探测器，通过堆叠设置的叠层红外增透膜结构，能够在保证红外探测器红外光高透过率的同时，又能够对面阵级封装结构腔体进行良好的密封，防止腔体内与外部气体之间的扩散，保证红外探测器的检测性能。
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公开(公告)号：CN117319796A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311012289.4
申请日：2023-08-11
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
摘要： 本发明涉及一种自动对焦方法及系统，其包括：获取连续的N帧原始红外图像，并获取每一原始红外图像进行噪声滤除后的清晰度值；以及根据图像清晰度连续变化的情况搜索图像清晰度值最大值，以进行自动对焦。本发明可有效去除各种噪声干扰，使得电机无需遍历整个对焦过程，在电机运动行程的任意位置即可实现低信噪比/复杂场景下的快速精准自动对焦。
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公开(公告)号：CN117163914A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311003413.0
申请日：2023-08-10
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
IPC分类号： B81B7/02
摘要： 本发明涉及半导体真空封装技术领域，具体涉及一种MEMS封装结构及MEMS真空封装结构，包括封装壳体以及被封装于所述封装壳体中的MEMS元件和吸气剂，所述吸气剂被罩设于吸气剂保护罩中，所述吸气剂保护罩包括可破坏区，用于在外部作用下被破坏并使所述吸气剂暴露在所述封装壳体的内部环境中。本发明在吸气剂外设置吸气剂保护罩，起到保护吸气剂的作用，使吸气剂在工艺过程中不受污染；同时在吸气剂保护罩上设置可破坏区，在牺牲层释放完成后，将可破坏区通过外部作用破坏，形成连通吸气剂与封装壳体内部环境的通道，使吸气剂暴露在封装壳体的内部环境中，未经污染的吸气剂在激活后，可充分发挥其吸气性能，保证真空封装可靠性。
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公开(公告)号：CN117023509A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311012066.8
申请日：2023-08-11
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体为一种金属填孔方法及非制冷红外探测器的制作方法。本发明提供的一种基于电镀工艺的高填充率金属填孔方案，基于半导体制程工艺，在需要填充的孔底部先沉积种子层材料，通过电镀的方式，从孔底逐步向上电镀金属膜层，达到高填充率、高可靠性的填孔方案。
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公开(公告)号：CN116995125A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311012290.7
申请日：2023-08-11
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/024 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种双色探测器及其制备方法，其包括：衬底，其含有用于对光信号进行处理的信号处理电路；支撑层，其设置于所述信号处理电路的上表面；红外吸收层，其与所述支撑层之间形成有谐振腔；红外热敏层，其设置在所述红外吸收层的上表面；红外电极，其与所述红外热敏层接触，且与衬底中的信号处理电路电连接；紫外光敏层，其设置于所述红外电极上方；以及紫外电极，其连接所述紫外光敏层，且同时与所述衬底中的信号处理电路电连接将红外热敏层、紫外光敏层垂直集成于同一像素内，且通过隔热腔的设置避免紫外光敏层、红外热敏层因发热导致的信号串扰，可大幅降低探测器像元中心距和双色探测器系统体积。
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公开(公告)号：CN220602728U
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202322162804.9
申请日：2023-08-11
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
摘要： 本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种面阵级封装非制冷红外探测器，包括：衬底；像元微桥结构，其位于所述衬底上，所述像元微桥结构包括锚柱以及由所述锚柱支撑的桥面，所述锚柱具有孔，所述孔内填充有金属支撑柱；腔体，所述腔体盖封于所述衬底上，且所述腔体部分支撑在填充后的所述锚柱上。基于高填充率填孔工艺方法，在需要填充的孔底部先沉积种子层材料，通过电镀的方式，从孔底逐步向上电镀金属膜层，达到高填充率、高可靠性的填孔方案。
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