本发明公开了一种稀土钪纳米层状碳化物Sc2AC(A＝Al，Ga，In)陶瓷及其制备方法，陶瓷的化学式为Sc2AlC、Sc2GaC或Sc2InC，空间群为P63/mmc；制备方法具体为：将Sc粉、In/Al/Ga和C粉按2：(0.9～1.2)：1的摩尔比在氩气保护下混合，得混合粉体；将混合粉体装载至自有设计的特制石墨坩埚后装载到放电等离子体烧结炉中，按照一定程序升温至1100～1300℃，其后冷却、磨去表面碳化层，即得样品。本发明解决了困扰学界十几年来这三种化合物是否存在的问题，对后续的研究奠定了坚实的基础；本发明合成的含钪层状化合物均是潜在的二维材料Sc2CTx的前驱体，而Sc2CTx被预测为一种二维半导体材料，有极高的研究和商业应用价值。