本发明提供了一种碳化硅靶材及其制备方法，所述制备方法包括：将碳化硅粉末装填到模具中，再将装填后的模具置于热压烧结设备中，经一次加压处理后抽真空；然后进行一段升温，保温结束后进行二段升温，二段升温结束后进行二次加压处理，二次加压处理分为两段加压过程；所述二段升温及保温结束后依次进行三段升温，保温结束后进行四段升温，保温保压结束后降温降压，再经机加工，得到碳化硅靶材。本发明以细粒度碳化硅粉末为原料，利用原料特性，控制热压烧结过程中的加热加压进程，使得热压烧结后的靶材产品致密度、纯度及硬度均较高，微观结构均匀且无气孔，能够满足磁控溅射对靶材特性的要求；所述方法操作简便，靶材合格率高，成本较低。