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公开(公告)号：CN118875913A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411014986.8
申请日：2024-07-26
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明属于机械加工技术领域，公开了一种高纯钛工件加工方法、设备、可读存储介质及高纯钛工件。其中高纯钛工件加工方法包括第一打磨阶段、第二打磨阶段、第三打磨阶段和第四打磨阶段。通过控制高纯钛工件以依次增大的预设转速转动，同时控制粗糙度依次降低的打磨件，以依次递减的进给量和依次递增的力矩对高纯钛工件进行分次分级打磨，使得高纯钛工件的表面粗糙度逐渐减小，从而能够较为精准地控制高纯钛工件的表面平整度，保证高纯钛工件的加工效果，确保高纯钛工件的产品质量。此外，通过不同的预设转速、粗糙度、进给量和力矩的协同合作，能够减少各个打磨阶段的打磨时间，提高工作效果。
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公开(公告)号：CN112420561B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202011253705.6
申请日：2020-11-11
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体冷却加热复合装置及其制备方法和用途，所述半导体冷却加热复合装置通过在底板内部设置槽孔，使槽孔与盖板以及第一凹槽均不相接，实现了槽孔中加热与第一凹槽中冷却的隔离，大大提高了冷却效率；并且所述半导体冷却加热复合装置的制备方法通过将盖板与第一底板进行真空扩散焊接，确保焊接后无漏气现象，再采用真空钎焊对第二底板进行焊接，能够确保加热丝的固定，减少加热丝烧断的情况，在半导体领域应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN118258665A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410395569.6
申请日：2024-04-02
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种金属铟中氧含量的检测方法，所述检测方法包括：将待检测金属铟样品进行一次酸洗，经超声清洗后进行二次酸洗，再经干燥，得到预处理后的样品；将预处理后的样品与助熔剂共同置于坩埚中加热熔融，采用氧氮分析仪进行检测，设定工作参数，分析功率为1.2～2kW，得到金属铟样品中的氧含量。本发明所述方法对金属铟进行预处理，采用两次酸洗及超声清洗，将样品表面杂质充分去除，减少对检测结果的干扰；所述方法将金属铟样品与助熔剂共同使用，有助于增大接触面积，更容易受热均匀，通过检测功率的优化，减少样品的熔融飞溅，避免影响检测结果，保证检测结果的精确性；所述方法操作简便，无需复杂工艺，成本较低，适用范围广。
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公开(公告)号：CN115198238B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202210861108.4
申请日：2022-07-20
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种靶材背板及其制造方法，所述靶材背板包括支撑件与冷却件；所述支撑件为凹槽结构，凹槽结构的底面设置有通孔，通孔的直径小于凹槽结构的底面直径；所述冷却件包括冷却基体与冷却凸台；所述冷却基体与冷却凸台形成台阶状结构，通过通孔与支撑件连接；所述支撑件与冷却件的材质不同。本发明提供的靶材背板通过材料的选择、结构的改进以及制造方法的控制，使靶材背板具有极好的支撑强度，又具备良好的导热性能，且成本较同规格的铜背板更加低廉；将其用于磁控溅射时，使用寿命较长，且表面温度分布均匀，有利于提高磁控溅射的镀膜均匀性。
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公开(公告)号：CN117381551A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311614844.0
申请日：2023-11-29
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明提供了一种防止圆环靶材异常放电的处理方法，所述处理方法包括：圆环靶材由内向外依次划分为内环和外环，对所述内环和所述外环依次进行滚花处理后，对所述内环和所述外环的交界处、以及所述外环的表面依次进行粗抛光处理和精抛光处理；经上述处理的圆环靶材的粗糙度沿中心向四周呈同心圆式扩散的方向逐渐减弱。在本发明中，通过对圆环靶材的具体处理，使得Redepo附着区域为靶材的圆环形区域内侧，且设计不同的粗糙度，在保证圆环靶材原有功能不变的条件下可以防止圆环靶材产生的Arcing现象，方法简单，适合推广。
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公开(公告)号：CN117248203A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311242560.3
申请日：2023-09-25
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种石墨靶材与背板的绑定方法，所述绑定方法包括如下步骤：对石墨靶材焊接面进行喷砂处理；对喷砂后的石墨靶材焊接面化学镀镍；将石墨靶材和背板加热后，将焊料分别独立地放置在石墨靶材焊接面和背板焊接面进行浸润，在背板焊接面形成焊料槽并放入铜丝，将石墨靶材和背板的焊接面贴合，并放置压块，冷却后完成焊接。本发明提供的石墨靶材与背板的绑定方法，采用喷砂并化学镀镍的方法对石墨靶材焊接面进行表面处理，镀镍层结合力强，均匀性好，利于焊料浸润；石墨靶材与背板的焊接结合率高，焊接强度高；生产成本低，利于量产及提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117024153A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310824826.9
申请日：2023-07-06
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC分类号： C04B35/575 , C23C14/35 , C23C14/06 , C04B35/622 , C04B35/645
摘要： 本发明提供了一种碳化硅靶材及其制备方法，所述制备方法包括：将碳化硅粉末装填到模具中，再将装填后的模具置于热压烧结设备中，经一次加压处理后抽真空；然后进行一段升温，保温结束后进行二段升温，二段升温结束后进行二次加压处理，二次加压处理分为两段加压过程；所述二段升温及保温结束后依次进行三段升温，保温结束后进行四段升温，保温保压结束后降温降压，再经机加工，得到碳化硅靶材。本发明以细粒度碳化硅粉末为原料，利用原料特性，控制热压烧结过程中的加热加压进程，使得热压烧结后的靶材产品致密度、纯度及硬度均较高，微观结构均匀且无气孔，能够满足磁控溅射对靶材特性的要求；所述方法操作简便，靶材合格率高，成本较低。
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公开(公告)号：CN111584400B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202010407918.3
申请日：2020-05-14
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , B23K26/348 , B23P15/00
摘要： 本发明涉及一种干法刻蚀半导体通气腔体及其制备方法，所述制备方法包括：先将带有阶梯凹槽的底板和内部盖板采用激光焊接连接起来，再采用氩弧焊接将外部盖板进行连接，得到干法刻蚀半导体通气腔体。所述制备方法采用功率较低的激光焊接来焊接内部盖板，再采用焊接温度比较高的氩弧焊接来焊接外部盖板，使得制备得到的干法刻蚀半导体通气腔体的平面度≤0.1mm，最优时为0.02mm；焊接结合率≥99％，最优时≥99.9％；焊接结合强度为50‑60MPa；漏率为1.0*10‑12Pa·m3/s；在0.8MPa的水压测试下，承压12h以上仍不会发生变形；在保证通气效果的同时，具有良好的密封性。
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