本发明属于探针材料技术领域，涉及一种半导体芯片测试探针用钯合金及其制备方法。按质量百分比计，原料包括Pd 39~40%、Ag 29~30%、Cu 29~30%、微量元素0.01~2.5%和稀土元素0.001~0.03%，其中，微量元素包括Ru、Fe和Co中的至少一种，稀土元素包括Tb、Er、Eu和Sm中的至少一种。通过700~850℃的固溶处理和300~400℃的时效处理制备得到的钯合金探针不仅制备成本低，而且具有高强度、高导电、高可靠和高寿命的特点。