本发明提供了一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法，涉及碳化硅生产领域，该装置包括保温结构、坩埚及籽晶杆，保温结构包括固定保温件、升降保温件及升降驱动件，升降保温件可升降地设置于固定保温件内且与固定保温件的内壁共同围成保温腔，升降驱动件与升降保温件连接，用于驱动升降保温件升降，以调节保温腔的体积。坩埚设置于保温腔内，用于盛装含硅熔体。籽晶杆穿设升降驱动件且底部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶，籽晶能在籽晶杆的驱动下接触或者脱离含硅熔体。本装置及配套的方法通过设置体积可调节的保温腔，可以简单方便地调节对坩埚的加热效果，从而使得晶体的生长速率可以根据实际需要调节。